恭喜国立大学法人东京大学竹谷纯一获国家专利权
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龙图腾网恭喜国立大学法人东京大学申请的专利有机半导体元件、应变传感器、振动传感器以及有机半导体元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112997332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980058708.3，技术领域涉及：H10N30/857；该发明授权有机半导体元件、应变传感器、振动传感器以及有机半导体元件的制造方法是由竹谷纯一;渡边峻一郎;山下侑;八重樫圭太设计研发完成，并于2019-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本有机半导体元件、应变传感器、振动传感器以及有机半导体元件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种能够以简单的结构得到所希望的电阻的有机半导体元件、应变传感器、振动传感器以及有机半导体元件的制造方法。在振动传感器中，有机半导体元件14形成在具有挠性的基板12的表面上。有机半导体元件14包括将有机半导体的单晶制成膜状而成的有机半导体膜24和形成在该有机半导体膜24的表面上的掺杂物膜25。掺杂物膜25形成构成掺杂物膜25的掺杂物与有机半导体膜24的有机半导体的电荷转移络合物，形成向有机半导体膜24的表面注入了载流子的掺杂层26。
本发明授权有机半导体元件、应变传感器、振动传感器以及有机半导体元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种有机半导体元件，其特征在于，包括：有机半导体膜，形成为有机半导体的单晶；掺杂层，形成在所述有机半导体膜的表面上；掺杂物膜，设置在所述有机半导体膜的表面上，向所述有机半导体膜的表面供给载流子，并形成所述掺杂层，其中，所述掺杂物膜由吸附在所述有机半导体膜的表面上的、具有封闭壳结构的阴离子或者具有封闭壳结构的阳离子构成，所述有机半导体元件为在电压施加于通过所述掺杂层电连接的一对电极之间时流过标称电流的电阻体。
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