恭喜英飞凌科技德累斯顿公司J·魏尔斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技德累斯顿公司申请的专利用于产生半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110648982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910559552.9，技术领域涉及：H01L23/34；该发明授权用于产生半导体装置的方法是由J·魏尔斯;A·伯姆;A·毛德;P·申德勒;S·特根;A·蒂尔克;U·瓦尔设计研发完成，并于2019-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于产生半导体装置的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于产生半导体装置的方法，所述方法包括：使用蚀刻工艺部分地去除布置在第一半导体层120和第二半导体层140之间的支撑层130，由此在所述第一半导体层120和所述第二半导体层140之间形成至少一个底切部；利用具有比所述支撑层130高的热导率的第一材料150至少部分地填充所述至少一个底切部；以及在所述第二半导体层中或上形成传感器器件20。
本发明授权用于产生半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种产生半导体装置的方法，包括：使用蚀刻工艺部分地去除布置在第一半导体层120和第二半导体层140之间的支撑层130，由此在所述第一半导体层120和所述第二半导体层140之间形成至少一个底切部；利用具有比所述支撑层130高的热导率λ2的第一材料150填充所述至少一个底切部，使得所述至少一个底切部被所述第一材料完全填充，或者使得除了在所述第二半导体层与所述支撑层相交处的孔穴之外，所述至少一个底切部被所述第一材料完全填充；以及在所述第二半导体层140中或上形成传感器器件20。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技德累斯顿公司，其通讯地址为：德国德累斯顿；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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