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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体发光装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110223999B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910154648.7，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权半导体发光装置及其制造方法是由辛榕燮;尹柱宪;孙夏英设计研发完成，并于2019-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体发光装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括：发光结构，其包括多个半导体层，并且被构造为产生光和将光发射至发光结构外部；透明电极层，其布置在发光结构上；透明保护层，其布置在透明电极层上；分布式布拉格反射器层，其布置在透明保护层上，并且覆盖透明电极层的至少一部分；以及至少一个电极焊盘，其通过孔或过孔连接至透明电极层。

本发明授权半导体发光装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光装置，包括：发光结构，其包括多个半导体层，并且被构造为产生光和将光发射至所述发光结构外部；透明电极层，其布置在所述发光结构上；透明保护层，其布置在所述透明电极层上；分布式布拉格反射器层，其布置在所述透明保护层上，并且覆盖所述透明电极层的至少一部分；以及至少一个电极焊盘，其通过孔或过孔连接至所述透明电极层，其中，所述孔或过孔包括第一内壁和第二内壁，所述第一内壁和所述第二内壁彼此连接并且相对于所述透明电极层的上表面具有不同倾斜角，其中，所述第一内壁被所述分布式布拉格反射器层包围，并且所述第二内壁被所述透明保护层包围，并且其中，所述第二内壁延伸至所述透明电极层的通过去除或蚀刻所述透明电极层的一部分而暴露的表面，并且该表面由此低于所述透明电极层的布置有所述透明保护层的上表面。

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