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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利用于形成鳍式场效晶体管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111630664B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880087182.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权用于形成鳍式场效晶体管的方法是由周翔;加内什·乌帕德亚雅;木村吉江;朱伟业;韩赵洪;李石焕;诺埃尔·苏恩设计研发完成，并于2018-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于形成鳍式场效晶体管的方法在说明书摘要公布了：本发明描述了一种钝化鳍式场效晶体管FinFET半导体装置并使用集成式原子层沉积法ALD及蚀刻处理的方式实施栅极蚀刻的方法及设备。方法包括执行部分栅极蚀刻、通过ALD在半导体鳍片与栅极层的暴露表面上沉积钝化层、并执行最后栅极蚀刻以形成FinFET半导体装置的一或多个栅极结构。该蚀刻、沉积以及蚀刻处理均在同一等离子体室中执行。该钝化层沉积在该栅极层的侧壁上，以于蚀刻期间维持该一或多个栅极结构的栅极轮廓。

本发明授权用于形成鳍式场效晶体管的方法在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，其包括：在等离子体室中，将鳍式场效晶体管半导体装置的栅极层蚀刻至暴露所述鳍式场效晶体管半导体装置的一或多个半导体鳍片的顶表面；在所述等离子体室中，在将所述栅极层蚀刻至所述一或多个半导体鳍片的暴露的顶表面后，通过原子层沉积在所述栅极层和所述一或多个半导体鳍片的暴露表面上沉积第一钝化层；以及在所述等离子体室中，在通过原子层沉积沉积所述第一钝化层后，将所述栅极层蚀刻至暴露所述鳍式场效晶体管半导体装置的绝缘材料层的顶表面以限定所述鳍式场效晶体管半导体装置中的一或多个栅极结构，并且暴露所述半导体鳍片的侧壁，其中所述一或多个半导体鳍片垂直于所述一或多个栅极结构延伸，其中将所述栅极层蚀刻至暴露所述绝缘材料层的所述顶表面包括：在所述等离子体室中，将所述栅极层的第一部分蚀刻至所述绝缘材料层的所述顶表面上的第一深度；在所述等离子体室中，通过原子层沉积在所述栅极层和所述一或多个半导体鳍片的所述暴露表面上沉积第二钝化层；以及在所述等离子体室中，将所述栅极层的第二部分蚀刻至所述绝缘材料层的所述顶表面。

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