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龙图腾网恭喜淮安澳洋顺昌光电技术有限公司申请的专利LED外延结构及其制备方法和LED器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384124B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411959521.X，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权LED外延结构及其制备方法和LED器件是由朱涛;宋长伟;叶大千;连伟杰;芦玲设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED外延结构及其制备方法和LED器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件领域，具体而言，涉及一种LED外延结构及其制备方法和LED器件。一种LED外延结构，包括衬底和位于衬底上的外延层，所述外延层包括沿外延方向依次设置的缓冲层、N型半导体层、沟道缺陷复合层、多量子阱发光层和P型半导体层，所述沟道缺陷复合层包括依次设置的沟道缺陷产生层、沟道缺陷放大层和沟道缺陷修复层，所述沟道缺陷产生层中的碳含量不低于5×1017atomscm3。本发明的LED外延结构，通过沟道缺陷产生层、沟道缺陷放大层和沟道缺陷修复层的配合，可更有效地缓解底层应力传导，减小有源区的QCSE，从而提升辐射复合效率。

本发明授权LED外延结构及其制备方法和LED器件在权利要求书中公布了：1.一种LED外延结构，其特征在于，包括衬底和位于衬底上的外延层，所述外延层包括沿外延方向依次设置的缓冲层、N型半导体层、沟道缺陷复合层、多量子阱发光层和P型半导体层，所述沟道缺陷复合层包括依次设置的沟道缺陷产生层、沟道缺陷放大层和沟道缺陷修复层；所述沟道缺陷复合层中的沟道缺陷为环形；所述沟道缺陷产生层中的碳含量不低于5×1017atomscm3；所述沟道缺陷放大层包括InGaN层和GaN层，所述InGaN层和所述GaN层呈交替层叠设置。

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