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龙图腾网恭喜微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种解决Micro LED晶圆键合工艺中破片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364945B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411875618.2，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权一种解决Micro LED晶圆键合工艺中破片的方法是由张宇;黄振;朱平;王程功;郑鹏远;刘全胜;李明设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种解决Micro LED晶圆键合工艺中破片的方法在说明书摘要公布了：一种解决MicroLED晶圆键合工艺中破片的方法，属于半导体器件的加工工艺技术领域。其首先是将蓝宝石衬底GaN外延片的衬底表面进行清洗，再在衬底表面激光刻蚀得到周期性光栅结构或者牛眼环结构的深槽，然后在衬底表面生长SiO2层，旋涂正性光刻胶并进行固化，再对深槽内的光刻胶薄膜进行掩膜曝光，将曝光后的光刻胶薄膜分解掉，从而露出深槽内的SiO2层；将深槽内的SiO2层去除掉后进行Mg离子注入，从而在深槽内得到离子注入层。本发明所述方法能够有效释放衬底应力，并降低GaN外延片硬度，使其能够更好的与硅基CMOS的硬度匹配，这些都有效地降低了MicroLED晶圆键合工艺中破片的产生。

本发明授权一种解决Micro LED晶圆键合工艺中破片的方法在权利要求书中公布了：1.一种解决MicroLED晶圆键合工艺中破片的方法，其特征在于：其步骤如下，1）将蓝宝石衬底GaN外延片的衬底表面进行清洗，祛除衬底表面的有机物、无机物杂质；再使用纯净水浸泡洗后用纯净水冲洗2~3次，然后甩干；2）在步骤1）得到的蓝宝石衬底GaN外延片的衬底表面使用激光刻蚀得到周期性光栅结构或者牛眼环结构的深槽，从而有效释放蓝宝石衬底应力；3）制作SiO2硬掩模：在步骤2）刻蚀深槽后的衬底表面生长400~600nm厚的SiO2层，再在SiO2层上旋涂正性光刻胶并进行固化，制备得到厚度为600~800nm的光刻胶薄膜；然后对深槽内的光刻胶薄膜进行掩膜曝光，将曝光后的光刻胶薄膜分解掉，从而露出深槽内的SiO2层；再将无光刻胶薄膜覆盖的深槽内的SiO2层去除掉，最后洗去深槽外剩余的光刻胶薄膜；4）将步骤3）制作完SiO2硬掩模的器件进行Mg离子注入，在深槽内得到离子注入层，改变蓝宝石衬底的晶格常数，改善蓝宝石衬底的硬度；然后进行晶圆键合，从而有效解决MicroLED晶圆键合工艺中产生的破片。

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