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龙图腾网恭喜中钨稀有金属新材料(湖南)有限公司申请的专利一种高密度细晶粒掺杂钨基材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119220845B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411761361.8，技术领域涉及：C22C1/059；该发明授权一种高密度细晶粒掺杂钨基材料及其制备方法是由杨吉;吴建国;傅崇伟;李志翔;魏修宇;袁觅文;胡晓康设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高密度细晶粒掺杂钨基材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高密度细晶粒掺杂钨基材料及其制备方法，涉及掺杂钨基材料技术领域，包括以下步骤：S1.将钨粉和金属化合物粉末经湿磨、干燥，得到掺杂钨粉末料；S2.掺杂钨粉末料压制成型，得到压坯；S3.压坯经中频烧结和热等静压处理，得到高密度细晶粒掺杂钨基材料。本发明制备的高密度细晶粒掺杂钨基材料通过“先中频烧结、后热等静压”两次烧结工艺，且严格控制两次烧结的工艺，制得的高密度细晶粒掺杂钨基材料致密度高且粒度小。

本发明授权一种高密度细晶粒掺杂钨基材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高密度细晶粒掺杂钨基材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.将钨粉和金属化合物粉末经湿磨、干燥，得到掺杂钨粉末料；所述金属化合物为IIIB~VB族元素的氧化物或IIIB~VB族元素的碳化物；所述IIIB~VB族元素的碳化物为ZrC、HfC和TiC中的一种；所述IIIB~VB族元素的氧化物为La2O3、CeO2、Sm2O3、Y2O3和Nd2O3中的一种；S2.掺杂钨粉末料压制成型，得到压坯；S3.压坯经中频烧结和热等静压处理，得到高密度细晶粒掺杂钨基材料；所述中频烧结分为升温过程和高温烧结过程；所述升温过程包括四个保温平台：第一保温平台的温度为800~1000℃，第二保温平台的温度为1050~1250℃，第三保温平台的温度为1350~1550℃，第四保温平台的温度为1600~1800℃；所述高温烧结的设定温度为1900~2100℃；所述热等静压的设定温度为1650~1850℃。

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