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龙图腾网恭喜中北大学申请的专利一种聚合物前驱体陶瓷薄膜热电偶及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119085875B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411578004.8，技术领域涉及：G01K7/02；该发明授权一种聚合物前驱体陶瓷薄膜热电偶及其制备方法是由张磊;谢亚平;谭秋林设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种聚合物前驱体陶瓷薄膜热电偶及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供一种聚合物前驱体陶瓷薄膜热电偶及其制备方法，属于温度传感器技术领域，聚合物前驱体陶瓷薄膜热电偶包括A电极和B电极，A电极的一端和B电极的一端交汇重叠设置并形成热节点，A电极远离热节点的一端和B电极远离热节点的一端均设置有焊点；每个焊点均连接有引线，引线用于输出信号；A电极由聚硅氮烷溶液、纳米复合材料粉末和二甲苯溶液混合制成，且纳米复合材料由氧化铟纳米粉末、氧化锌粉末和无水乙醇混合制成；B电极由聚硅氮烷溶液、氧化铟纳米粉末和二甲苯溶液混合制成；具有高温电学特性和强抗氧化特性，薄膜热电偶不易断裂；耐温可达1600℃以上，解决了现有的薄膜温度传感器易发生断裂和脱落的问题。

本发明授权一种聚合物前驱体陶瓷薄膜热电偶及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种聚合物前驱体陶瓷薄膜热电偶的制备方法，用于监测热部件的表面温度；其特征在于，所述聚合物前驱体陶瓷薄膜热电偶包括A电极31和B电极32，所述A电极31的一端和B电极32的一端交汇重叠设置并形成热节点33，所述A电极31远离所述热节点33的一端和所述B电极32远离所述热节点33的一端均设置有焊点34；所述A电极31由聚硅氮烷溶液、纳米复合材料粉末和二甲苯溶液混合制成；所述B电极32由聚硅氮烷溶液、氧化铟纳米粉末和二甲苯溶液混合制成；其中，所述纳米复合材料由氧化铟纳米粉末、氧化锌粉末和无水乙醇混合制成；每个所述焊点34均连接有引线35，所述引线35用于输出信号；所述制备方法包括：S1、预处理：将氧化铝陶瓷片进行清洗和烘干处理；S2、所述纳米复合材料粉末的制备：将所述氧化铟纳米粉末和氧化锌粉末按照第一预设质量比k1混合，将混合后的粉末和无水乙醇按照第二预设质量比k2混合并置于球磨机的球磨槽中；控制所述球磨机研磨，并对混合物进行烘干处理，制得所述纳米复合材料粉末；所述球磨机研磨时的转速为预设转速n，研磨时长为第一预设时长t1；所述烘干处理时的温度为第一预设温度T1；其中，所述k1、k2、n、t1和T1满足：3≤k1≤5，0.1≤k2≤1，1600rpm≤n≤2400rpm，4h≤t1≤6h，80℃≤T1≤120℃；S3、A混合浆液和B混合浆液的制备：将所述聚硅氮烷溶液、纳米复合材料粉末和二甲苯溶液按照第三预设质量比k3混合制得A混合浆液；将所述聚硅氮烷溶液、氧化铟纳米粉末和二甲苯溶液按照第四预设质量比k4混合制得B混合浆液；其中，所述k3和k4满足：1:1:3≤k3≤1:1:1，1:1:3≤k4≤1:1:1；S4、聚合物前驱体陶瓷A浆料和B浆料的制备：将所述A混合浆液在常温下磁力搅拌，制得聚合物前驱体陶瓷A浆料；将所述B混合浆液在常温下磁力搅拌，制得聚合物前驱体陶瓷B浆料；S5、所述A电极31和B电极32的制备：采用维森堡直写工艺，将所述聚合物前驱体陶瓷A浆料直写在所述氧化铝陶瓷片上，将所述聚合物前驱体陶瓷B浆料直写在所述氧化铝陶瓷片上；再将直写有所述聚合物前驱体陶瓷A浆料和B浆料的氧化铝陶瓷片置于真空干燥箱进行加热固化处理，后置于真空管式炉中进行烧结，制得所述A电极31和B电极32；所述S5中，将直写有所述聚合物前驱体陶瓷A浆料和B浆料的氧化铝陶瓷片置于真空管式炉中进行烧结包括：首先，以预设升温速率v1升温至第三预设温度T3，并保温第三预设时长t3，在这个过程中所述聚合物前驱体陶瓷A浆料和B浆料发生有机到无机的转变，并生成非晶陶瓷；其次，以预设升温速率v1升温至第四预设温度T4，并保温第四预设时长t4，在这个过程中所述非晶陶瓷会发生相分离和结晶化，进而生成多晶陶瓷；最后，以预设降温速率v2降温至室温；其中，所述v1和v2满足：3℃min≤v1≤7℃min，3℃min≤v2≤7℃min；所述T3和t3满足：900℃≤T3≤1100℃，3h≤t3≤5h；所述T4和t4满足：1400℃≤T4≤1800℃；3h≤t4≤5h；S6、所述焊点34的制备：将二硼化钛纳米粉末和聚硅氮烷溶液按照第五预设质量比k5混合制得导电浆料，将所述导电浆料设置在所述氧化铝陶瓷片上并烧结制得所述焊点34；将所述焊点34和引线35电连接并置于真空管式炉中烧结；其中，所述k5满足：1:3≤k5≤1:1；S7、保护层前驱体层的制备：将二硼化钛纳米粉末和YSZ纳米粉末按照第六预设质量比k6混合并掺入到聚硅氮烷溶液，置于真空干燥箱进行加热固化处理，后得到保护层前驱体；该加热固化处理时的温度为第七预设温度T7，时长为第七预设时长t7；先将直写有A电极31和B电极32的氧化铝陶瓷片进行掩膜覆盖，将保护层前驱体作为靶材，采用脉冲激光沉积在所述A电极31的顶面和B电极32的顶面上，后真空热解，制得保护层前驱体层；该真空热解时以预设升温速率v1升温至第八预设温度T8并保温第八预设时长t8；其中，所述k6满足：3:1≤k6≤5:1；所述T7和t7满足：100℃≤T7≤300℃，0.4h≤t7≤0.6h；所述v1满足：3℃min≤v1≤7℃min；所述T8和t8满足：1400℃≤T8≤1800℃，3h≤t8≤5h。

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