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龙图腾网恭喜苏州凯新斯智能科技有限公司申请的专利一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118914347B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411247781.4，技术领域涉及：G01N27/85；该发明授权一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法及系统是由彭丹华;陈康康设计研发完成，并于2024-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及磁记忆检测仪检测调控领域，公开了一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法及系统，包括以下步骤：对磁记忆检测仪进行充分的检测准备工作，使其能够对缺陷状态已知的金属块样品进行缺陷检测，并在缺陷检测过程中分别对磁记忆检测仪的检测准确性和流畅性进行分析调控，得到合格的磁记忆检测仪。本发明能够通过磁记忆检测仪对缺陷状态已知金属块样品进行检测，反推磁记忆检测仪的检测准确性和流畅性，实现磁记忆检测仪调控的目的，显著提高磁记忆检测仪在检测过程中的效率。

本发明授权一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种磁记忆检测仪的检测流畅性调控方法，其特征在于，包括以下步骤：对目标磁记忆检测仪进行设备检测准备效果核查，并基于设备检测准备效果核查结果，对目标磁记忆检测仪进行设备校准，得到合格磁记忆检测仪；获取缺陷状态已知的金属块样品，并根据缺陷状态已知的金属块样品的缺陷状态，预设合格磁记忆检测仪的基准检测参数；通过一类磁记忆检测仪对目标金属块样品进行缺陷检测，并验证缺陷检测结果的准确性，最后基于缺陷检测结果的准确性对一类磁记忆检测仪进行调整；对一类合格磁记忆检测仪的检测流畅性进行分析，并基于检测流畅性分析结果对一类合格磁记忆检测仪的检测流畅性进行调控优化；其中，所述获取缺陷状态已知的金属块样品，并根据缺陷状态已知的金属块样品的缺陷状态，预设合格磁记忆检测仪的基准检测参数，具体为：获取缺陷状态已知的金属块样品，标定为目标金属块样品，其中，目标金属块样品的缺陷状态包括缺陷大小、缺陷种类以及缺陷位置；预设合格磁记忆检测仪对目标金属块样品进行缺陷扫描的位置，标定为扫描区域，在所述扫描区域内，安装磁场生成设备，同时在扫描区域内通过磁场生成设备向目标金属块样品表面施加恒定磁场，得到目标磁化金属块样品；基于目标金属块样品的缺陷状态，在目标磁化金属块样品表面确定并标记磁痕的标准位置，标定为标准磁痕位置，同时记录目标磁化金属块样品表面的实时磁场强度以及磁场强度变化时间；获取合格磁记忆检测仪的使用说明书，并在所述合格磁记忆检测仪的使用说明书上获取合格磁记忆检测仪的磁场采集强度与磁场强度的对照表，标定为目标对照表；基于所述目标对照表，选取与目标磁化金属块样品表面的实时磁场强度对应的合格磁记忆检测仪的磁场采集强度，标定为目标实时磁场采集强度，同时将目标磁化金属块样品表面的磁场强度变化时间标定为目标检测时间；将目标检测时间以及目标实时磁场采集强度标定为合格磁记忆检测仪的基准检测参数，在合格磁记忆检测仪内将检测参数设置为基准检测参数，得到一类磁记忆检测仪；其中，在合格磁记忆检测仪内将检测参数设置为基准检测参数的方法为在合格磁记忆检测仪内，将合格磁记忆检测仪的工作时间设置为目标检测时间，并在目标检测时间内将合格磁记忆检测仪的实时磁场采集强度设置为目标实时磁场采集强度；其中，所述通过一类磁记忆检测仪对目标金属块样品进行缺陷检测，并验证缺陷检测结果的准确性，最后基于缺陷检测结果的准确性对一类磁记忆检测仪进行调整，具体为：在扫描区域内，通过磁场生成设备对目标金属块样品向目标金属块样品表面再次施加恒定磁场，得到二次磁化金属块样品，同时在扫描区域内运行一类磁记忆检测仪；其中，所述运行一类磁记忆检测仪为在二次磁化金属块样品上确定扫描原点，以扫描原点为起点，通过运行一类磁记忆检测仪对二次磁化金属块样品进行表面扫描，并在表面扫描过程中，记录由一类磁记忆检测仪得到二次磁化金属块样品表面不同位置的磁场强度；运行一类磁记忆检测仪后，对由一类磁记忆检测仪得到计算得到的二次磁化金属块样品表面不同位置的磁场强度进行分析，并获取所有磁场强度不在预设阈值内的二次磁化金属块样品表面的对应位置的坐标，生成检测磁痕位置；计算检测磁痕位置与标准磁痕位置的重合率，标定为磁痕重合率，预设磁痕重合率标准阈值，若磁痕重合率维持在磁痕重合率标准阈值内，则将所述一类磁记忆检测仪标定为一类合格磁记忆检测仪；若磁痕重合率不维持在磁痕重合率标准阈值内，则在扫描区域内装设外界磁场干扰屏蔽设备，并在一类磁记忆检测仪运行期间在扫描区域内运行所述外界磁场干扰屏蔽设备；若外界磁场干扰屏蔽设备运行时，磁痕重合率仍不维持在磁痕重合率标准阈值内，则将一类合格磁记忆检测仪标定为一类不合格磁记忆检测仪，获取一类不合格磁记忆检测仪内用于扫描二次磁化金属块样品的传感器，标定为磁记忆检测传感器，并对所述磁记忆传感器进行更换处理，使基于一类不合格磁记忆检测仪得到的磁痕重合率维持在磁痕重合率标准阈值内，得到一类合格磁记忆检测仪。

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