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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利基于碳基晶体管的反相器及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118215304B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410373596.3，技术领域涉及：H10K19/10；该发明授权基于碳基晶体管的反相器及芯片是由陈永强;袁远东;宁宁设计研发完成，并于2024-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于碳基晶体管的反相器及芯片在说明书摘要公布了：公开了一种基于碳基晶体管的反相器及芯片。一种基于碳基晶体管的反相器包括：衬底；衬底上的第一类型碳基晶体管和第二类型碳基晶体管，其中，第一类型碳基晶体管包括第一源极和第一漏极，第二类型碳基晶体管包括第二源极和第二漏极，其中，第一源极与第一漏极以及第二源极与第二漏极单独地沿垂直于衬底的方向堆叠，或第一源极和第一漏极共同地与第二源极和第二漏极沿垂直于衬底的方向堆叠；以及其中，第一漏极和第二漏极与同一输出端耦接，第一源极和第二源极中一者与电源电压端耦接，另一者与接地电压端耦接。

本发明授权基于碳基晶体管的反相器及芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于碳基晶体管的反相器，包括：衬底；衬底上的第一类型碳基晶体管和第二类型碳基晶体管，其中，所述第一类型碳基晶体管包括第一源极和第一漏极，所述第二类型碳基晶体管包括第二源极和第二漏极，其中，所述第一源极与所述第一漏极以及所述第二源极与所述第二漏极经由衬底上的公共栅极单独地沿垂直于所述衬底的方向堆叠，其中，所述第一类型碳基晶体管与所述第二类型碳基晶体管共用所述公共栅极，所述第一类型碳基晶体管的所述第一源极与所述第一漏极在所述公共栅极的第一侧壁上沿垂直于所述衬底的方向堆叠，并且所述第二类型碳基晶体管的所述第二源极与所述第二漏极在所述公共栅极的第二侧壁上沿垂直于所述衬底的方向堆叠，或所述第一源极和所述第一漏极共同地与所述第二源极和所述第二漏极经由公共沟道层沿垂直于所述衬底的方向堆叠，其中，所述第一类型碳基晶体管包括第一栅极，所述第二类型碳基晶体管包括第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极共用所述公共沟道层，所述第一源极和所述第一漏极与所述第二源极和所述第二漏极相对于所述公共沟道层对称地沿垂直于所述衬底的方向堆叠；以及其中，所述第一漏极和所述第二漏极与同一输出端耦接，所述第一源极和所述第二源极中一者与电源电压端耦接，另一者与接地电压端耦接。

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