广东芯智造半导体有限公司任仕鼎获国家专利权
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龙图腾网获悉广东芯智造半导体有限公司申请的专利一种锂电保护板芯片框架、封装体及锂电保护板获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222619752U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420575227.8，技术领域涉及：H01L23/495；该实用新型一种锂电保护板芯片框架、封装体及锂电保护板是由任仕鼎;谢大盛;黄启东设计研发完成，并于2024-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锂电保护板芯片框架、封装体及锂电保护板在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种锂电保护板芯片框架、封装体及锂电保护板，锂电保护板芯片框架包括：框架本体、若干个基岛、两个第一引脚与若干个第二引脚。其中，所述基岛设置在所述框架本体上；所述第一引脚呈L型，并位于在所述基岛一侧。本实用新型通过将两个第一引脚设置在基岛的一侧，以包围在基岛一侧，使得基岛上的芯片具有充分的打线空间，不仅可以满足大电流的需求，且成本较低。
本实用新型一种锂电保护板芯片框架、封装体及锂电保护板在权利要求书中公布了：1.一种封装体，用于锂电保护板，其特征在于，包括芯片以及锂电保护板芯片框架，所述锂电保护板芯片框架包括：框架本体、若干个基岛、两个第一引脚与若干个第二引脚；其中，所述基岛设置在所述框架本体上；所述第一引脚呈L型，并位于在所述基岛一侧；所述芯片设置在所述基岛上，并分别与所述第一引脚以及所述第二引脚连接；两个所述第一引脚对称设置，并分别沿所述基岛的棱角分布；其中，两个所述第一引脚分别位于所述基岛左侧的两个棱角边缘，且所述第一引脚的拐角部分包围于所述基岛的棱角，其中一个所述第一引脚呈倒L形状，使得两个所述第一引脚对称分布，将所述基岛的左侧包围。
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