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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利栅间薄膜合并WAT测试结构及检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300441B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111441673.7，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权栅间薄膜合并WAT测试结构及检测方法是由夏禹;董颖;何志斌设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本栅间薄膜合并WAT测试结构及检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种栅间薄膜合并WAT测试结构，结构主体为有源区‑接触孔‑上层金属的一组链式电阻结构，每块有源区上有一组对称的栅，其间距为设计规则最小允许间距,而栅的一半以及栅外侧的有源区部分会由硅化物阻挡层覆盖以阻止其形成低阻硅化物。测试时，通过测试链式结构的电阻，就可判断晶圆产品在整个制程过程中有没有发生栅间薄膜合并的问题，方便准确。本发明还公开了采用该栅间薄膜合并WAT测试结构的检测方法。

本发明授权栅间薄膜合并WAT测试结构及检测方法在权利要求书中公布了：1.一种栅间薄膜合并WAT测试结构，其特征在于，在晶圆上形成低压NMOS半区及低压PMOS半区；所述低压NMOS半区用于形成多个NMOS管；所述低压PMOS半区用于形成多个PMOS管；各NMOS管、PMOS管之间形成浅槽隔离；每一NMOS管及PMOS管，在有源区左右对称布局两段栅，每段栅的左右两侧形成侧墙，栅与栅之间的左右间距为最小设计规则；在左栅中间左侧的有源区以及浅槽隔离上覆盖硅化物阻挡层，并在右栅中间右侧的有源区以及浅槽隔离上覆盖硅化物阻挡层；在左右对称布局的两段栅的相邻侧墙之间的有源区上形成低阻硅化物；在有源区超出栅的上下两端并且过左右对称布局的两段栅对称轴形成有用来与上层金属相连接的接触孔；低压NMOS半区的各个NMOS管的接触孔首尾依次链式通过金属相连接；低压PMOS半区的各个PMOS管的接触孔首尾依次链式通过金属相连接；低压NMOS半区的尾端NMOS管的下接触孔通过金属连接低压PMOS半区的头端PMOS管的下接触孔；低压NMOS半区的头端NMOS管的上接触孔金属连接第一焊垫；低压PMOS半区的尾端PMOS管的上接触孔金属连接第二焊垫。

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