恭喜中国科学院微电子研究所景旭宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立方法、装置及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114021435B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111241110.3，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权一种极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立方法、装置及电子设备是由景旭宇;韦亚一;董立松设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立方法、装置及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立方法、装置及电子设备，涉及微电子技术领域。所述极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立方法，包括：获取预设个数的掩模版图对应的衍射矩阵数据库；基于所述掩模版图对应的衍射矩阵数据库对每个所述掩模版图进行切割分类处理，得到多个种类的特征图形；基于每个种类的所述特征图形，确定相应具备掩模衍射近场特性的卷积核；根据所述卷积核确定测试版图对应的近场数据，完成所述极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立，此模型针对极紫外光刻掩模衍射近场训练出一套有效的卷积核，并且可以适用于任何的入射光角度，同时还能保持与机器学习方法同一量级的计算精度但是耗费时间成本大幅度降低。
本发明授权一种极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立方法、装置及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立方法，其特征在于，所述方法包括：获取预设个数的掩模版图对应的衍射矩阵数据库，其中，每个所述掩模版图对应有至少一个衍射矩阵；基于所述掩模版图对应的衍射矩阵数据库对每个所述掩模版图进行切割分类处理，得到多个种类的特征图形；基于每个种类的所述特征图形，确定相应具备掩模衍射近场特性的卷积核；根据所述卷积核确定测试版图对应的近场数据，完成所述极紫外光掩模衍射近场计算模型的建立。
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