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龙图腾网恭喜武汉科技大学申请的专利一种直接构筑硫掺杂型铁钴镍三元氧化物纳米管的制备方法及其产品、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110754318.9，技术领域涉及：H01M4/52；该发明授权一种直接构筑硫掺杂型铁钴镍三元氧化物纳米管的制备方法及其产品、应用是由桂阳;覃静萍;刘彦宏;黄波;陈欣雨;杜颖设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种直接构筑硫掺杂型铁钴镍三元氧化物纳米管的制备方法及其产品、应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种直接构筑硫掺杂型铁钴镍三元氧化物纳米管的制备方法，该方法以集流体基底为工作电极，以Pt片为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，加入KCl离子电解质，通过配置相应盐溶液中对应金属离子及硫源的浓度，并设置氧化还原电压区间在‑1.2V至0.2V，使金属离子首先在还原电压范围内被吸附，并以氢氧化物的形式沉积在集流体表面形成晶种，诱导后续晶体的生长，得到沿集流体基底材料表面生长的硫掺杂型铁钴镍三元氧化物纳米管。本发明的制备方法能够直接得到沿集流体表面生长的硫掺杂型铁钴镍三元金属氧化物纳米管，不需要借助中间模板材料如碳纳米管等，且成功避免了由于无活性中间载体材料的介入导致的材料部分活性位点的损失，利于保障和提高材料的有效活性。

本发明授权一种直接构筑硫掺杂型铁钴镍三元氧化物纳米管的制备方法及其产品、应用在权利要求书中公布了：1.一种直接构筑硫掺杂型铁钴镍三元氧化物纳米管的制备方法，其特征在于，以集流体基底为工作电极，在对电极和参比电极的参与下，以含有Co2+、Fe3+、Ni2+和硫源的水溶液为反应溶液，加入KCl离子电解质，采用循环伏安法在集流体基底上沉积构筑硫掺杂型铁钴镍三元氧化物纳米管；所述集流体为泡沫镍或碳布，硫源为硫脲；所述反应溶液由CoNO32、FeNO33、NiNO32及硫脲、水组成，CoNO32、FeNO33及NiNO32的浓度范围为0.005±0.0003M；硫脲的浓度范围为0.05M-0.2M；KCl的浓度控制在0.001-0.005M；所述循环伏安法的扫描程序设置条件为：扫描起始电压为-1.2V，然后以5mVs-1的扫描速率增加电压至0.2V，再以-5mVs-1的扫描速率降低电压至-1.2V，至此完成一圈的扫描，总的扫描圈数为十圈；所述硫掺杂型铁钴镍三元氧化物纳米管均匀的覆盖在集流体表面，开口向上、尺寸均匀、排列有序、无团聚发生，且管壁有纳米薄片包覆；所述硫掺杂型铁钴镍三元氧化物纳米管用作二次水系锌离子电池的正极材料。

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