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龙图腾网恭喜慧石(上海)测控科技有限公司申请的专利压力传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112880883B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110088523.6，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权压力传感器及其制造方法是由周志健;刘洪喜;熊娟设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本压力传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，压力传感器包括衬底结构以及顶层结构，顶层结构中，第一硅层用作压力敏感膜；第二硅层用作压阻层；第一硅层的正面形成有用作岛结构的厚半导体材料层；第一硅层的正面还形成有包覆第一硅层与厚半导体材料层的顶层下绝缘层；衬底结构的上表面向下凹陷形成键合槽，厚半导体材料层键合于键合槽内并与键合槽形成间隙；第一硅层与衬底结构之间形成用作自检测的第一电连接通道；第二硅层与衬底结构之间形成用作压阻结构的第二电连接通道；第一电连接通道与第二电连接通道绝缘，第二电连接通道与第一硅层绝缘。该压力传感器在岛结构与衬底结构之间构成电容结构，达到压力传感器的在线自校准的目的。

本发明授权压力传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种压力传感器，其特征在于：包括衬底结构以及顶层结构，所述顶层结构包括第一硅层、设于所述第一硅层背面的第二硅层以及设于所述第一硅层与第二硅层之间的第一绝缘层；所述第一硅层用作压力敏感膜；所述第二硅层用作压阻层；所述第一硅层的正面形成有与所述第一硅层电导通的厚半导体材料层，所述厚半导体材料层用作岛结构；所述第一硅层的正面还形成有包覆所述第一硅层与所述厚半导体材料层的顶层下绝缘层；所述衬底结构的上表面向下凹陷形成键合槽，所述厚半导体材料层键合于所述键合槽内并与所述键合槽形成间隙；所述压力传感器上形成有第一电学连接孔及第二电学连接孔；所述第一电学连接孔内填充有导电半导体材料以使所述第一硅层与所述衬底结构之间形成用作自检测的第一电连接通道；所述第二电学连接孔内填充有导电半导体材料以使所述第二硅层与所述衬底结构之间形成用作压阻结构的第二电连接通道；所述第一电连接通道与所述第二电连接通道绝缘，所述第二电连接通道与所述第一硅层绝缘；所述衬底结构包括中部硅材料层以及形成在所述中部硅材料层的上表面的衬底上绝缘层，所述中部硅材料层的下表面掺杂形成掺杂层；所述衬底结构上形成有相互绝缘的第一衬底区域、第二衬底区域以及第三衬底区域，所述第一硅层通过所述第一电学连接孔与所述第一衬底区域导通，所述第二硅层通过所述第二电学连接孔与所述第二衬底区域导通，所述键合槽形成在第三衬底区域内；所述压力传感器还包括淀积在所述顶层结构的上表面的第一绝缘保护层以及淀积在所述衬底结构的下表面的第二绝缘保护层；所述第二绝缘保护层上形成有与所述第一衬底区域对应的第一导电接触孔、与所述第二衬底区域对应的第二导电接触孔以及与所述第三衬底区域对应的第三导电接触孔。

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