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龙图腾网恭喜中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种铁电畴定义的串联二维光伏电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086528B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010966329.9，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权一种铁电畴定义的串联二维光伏电池及制备方法是由王建禄;伍帅琴;吴广健;王旭东;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩设计研发完成，并于2020-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铁电畴定义的串联二维光伏电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铁电畴定义的串联二维光伏电池及制备方法。所述的光伏电池结构自上而下依次为铁电功能层、金属电极、二维半导体和绝缘硅衬底。器件制备步骤是在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用紫外光刻或者电子束曝光的方法结合热蒸发、剥离工艺制备金属电极作为半导体沟道的源极和漏极，然后用旋涂法制备铁电薄膜覆盖此结构，随后使用压电力显微技术对两个沟道分别写入正‑负向畴结构，于是铁电畴就能够调控双极型二维半导体两侧分别呈现空穴和电子导电，形成面内PNPN结。此种方法形成的串联PN结与单个PN结相比具有开路电压翻倍增长的特征，制备工艺简单，器件的尺寸小，器件稳定性好。

本发明授权一种铁电畴定义的串联二维光伏电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铁电畴定义的串联二维光伏电池，包括铁电功能层1、金属电极2、双极性过渡金属化合物二维半导体3、绝缘硅衬底4，其特征在于，所述的串联二维光伏电池结构自上而下依次为：铁电功能层1、金属电极2、双极性过渡金属化合物二维半导体3、绝缘硅衬底4，其中：所述的铁电功能层1为聚偏氟乙烯基铁电聚合物薄膜，厚度为60纳米；所述的金属电极2为铬覆盖在双极性过渡金属化合物二维半导体上，金覆盖在铬上面的形状为立方体的3个金属电极，分别设置在双极性过渡金属化合物二维半导体3的两端及中间，铬厚度为15纳米，金厚度为25纳米；所述的双极性过渡金属化合物二维半导体3为双极性过渡金属化合物MoTe2，厚度为8-12纳米；所述的绝缘硅衬底4为表面覆盖有厚度为285纳米的二氧化硅的硅衬底；制备所述铁电畴定义的串联二维光伏电池的方法包括以下步骤：1采用机械剥离转移方法将双极性过渡金属化合物二维半导体3转移至绝缘硅衬底4表面；2采用紫外光刻技术或者电子束曝光技术，结合热蒸发及剥离工艺制备3个金属电极2，且3个金属电极分别位于双极性过渡金属化合物二维半导体3的两端及中间，形成左右两个平行的沟道；3运用旋涂方法制备铁电功能层1，并在130℃温度下退火2小时保证功能层的结晶特性；4利用压电力显微镜极化铁电功能层，具体方法为：利用压电力显微镜针尖施加在铁电功能层1上的电压来极化PVDF-TrFE，扫描电压和扫描频率分别控制为±25V和1.5Hz，扫描过程中，材料左数第一个沟道的左侧PVDF-TrFE施加+25V扫描电压，右侧施加-25V扫描电压，使两边的极化方向相反，极化方向分别指向和背向二维材料；同理，材料左数第二个沟道的左侧PVDF-TrFE施加+25V扫描电压，右侧施加-25V扫描电压，使两边的极化方向分别远离和指向二维材料，进而利用铁电场调控二维材料形成面内PNPN结。

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