恭喜株式会社德山阪井纯也获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社德山申请的专利硅芯线的蚀刻装置及硅芯线的蚀刻方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114555524B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080071162.8,技术领域涉及:C01B33/021;该发明授权硅芯线的蚀刻装置及硅芯线的蚀刻方法是由阪井纯也;横濑卓矢设计研发完成,并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅芯线的蚀刻装置及硅芯线的蚀刻方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种能够将硅芯线的表面整体均匀蚀刻的装置。硅芯线C1、C2、C3的蚀刻装置1具备:蚀刻液槽11、12,蚀刻液槽11、12容纳蚀刻液L1、L2;多个芯线支持构件31,芯线支持构件31形成有硅芯线C1、C2、C3所贯穿的孔31A,并且支持硅芯线C1、C2、C3;以及位置改变机构40,位置改变机构40使硅芯线C1、C2、C3所贯穿的相对位置相对于孔31A改变。
本发明授权硅芯线的蚀刻装置及硅芯线的蚀刻方法在权利要求书中公布了:1.一种硅芯线的蚀刻装置,其特征在于,具备:蚀刻液槽,所述蚀刻液槽容纳浸渍硅芯线的蚀刻液;多个芯线支持构件,所述芯线支持构件形成有至少1个所述硅芯线在左右方向上所贯穿的孔,并且在所述左右方向上支持所述硅芯线;位置改变机构,所述位置改变机构使所述多个芯线支持构件在上下方向往复移动,在所述硅芯线在所述左右方向上贯穿所述多个芯线支持构件并且浸渍于所述蚀刻液中的状态下,以使所述硅芯线在所述左右方向上所贯穿的相对位置相对于所述孔改变;并且所述位置改变机构使所述多个芯线支持构件在所述上下方向往复移动的速度为每1分钟30次以上、90次以下,其中在所述孔为圆形的情况下,所述孔的直径为硅芯线的截面的最小包含圆的直径的1.1倍以上,并且在所述孔为圆形以外的形状的情况下,所述孔的短径为硅芯线的截面的最小包含圆的直径的1.1倍以上。
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