恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林宗澍获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113178432B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010904589.3，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权封装结构是由林宗澍;陈琮瑜;洪文兴设计研发完成，并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种封装结构，其包括：配线衬底；中介层，设置在配线衬底上且电连接到配线衬底；半导体管芯，设置在中介层上且电连接到中介层；第一绝缘包封体，设置在中介层上；第二绝缘包封体，设置在配线衬底上；以及盖。半导体管芯在侧向被第一绝缘包封体包封。半导体管芯及第一绝缘包封体在侧向被第二绝缘包封体包封。第一绝缘包封体的顶表面与第二绝缘包封体的顶表面及半导体管芯的表面实质上齐平。盖设置在半导体管芯、第一绝缘包封体及第二绝缘包封体上。
本发明授权封装结构在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征包括：配线衬底；中介层，设置在所述配线衬底上且电连接到所述配线衬底；半导体管芯，设置在所述中介层上且电连接到所述中介层；第一绝缘包封体，设置在所述中介层上，其中所述半导体管芯在侧向被所述第一绝缘包封体包封；第二绝缘包封体，设置在所述配线衬底上，其中所述半导体管芯及所述第一绝缘包封体在侧向被所述第二绝缘包封体包封；以及盖，设置在所述半导体管芯、所述第一绝缘包封体及所述第二绝缘包封体上，其中所述第一绝缘包封体的顶表面与所述第二绝缘包封体的顶表面及所述半导体管芯的表面实质上齐平，所述盖与所述配线衬底之间的最小距离大于所述第二绝缘包封体的最大厚度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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