恭喜富士电机株式会社山路将晴获国家专利权
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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113661571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080026801.9，技术领域涉及：H01L23/532；该发明授权半导体装置及其制造方法是由山路将晴;狩野太一;澄田仁志;伊藤秀昭设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置，能够防止设置在半导体基板上的防反射膜的分解反应以及布线层的腐蚀等，从而能够提高可靠性。具备布线层11、设置在布线层11上的氮化钛层21、设置在氮化钛层21上的氮氧化钛层22、设置在氮氧化钛层22上的氧化钛层23、以及设置在氧化钛层23上的表面保护膜31、32，设置有贯通氮化钛层21、氮氧化钛层22、氧化钛层23以及表面保护膜31、32来使布线层11的一部分露出的开口部11b，布线层11的露出的一部分构成焊盘11a。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：布线层；设置在所述布线层上的氮化钛层；设置在所述氮化钛层上的氮氧化钛层；设置在所述氮氧化钛层上的氧化钛层；以及设置在所述氧化钛层上的表面保护膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富士电机株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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