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龙图腾网恭喜深圳市矽谷溅射靶材有限公司申请的专利金制品表面纳米多层复合抗划花膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112080723B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010842132.4，技术领域涉及：C23C14/12；该发明授权金制品表面纳米多层复合抗划花膜及其制备方法是由周鸿奎设计研发完成，并于2020-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本金制品表面纳米多层复合抗划花膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金制品表面纳米多层复合抗划花膜，其特征是：在所述的金制品或镀金制品的镀金层的表面上从里到外依次覆盖有金过渡层、由至少一组纳米多层复合保护膜单元构成的纳米多层结构、Si过渡层、以及最外表层的AF抗指纹膜，所述的每组纳米多层复合保护膜单元是由纳米透明介质层和覆盖其上的纳米金层构成。本发明还涉及所述膜的制备方法。采用本发明的方法制备出的金制品表面纳米多层复合抗划花膜，很好地解决了金、金饰品或不锈钢、黄铜等上镀金层的不耐划花问题。

本发明授权金制品表面纳米多层复合抗划花膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金制品或镀金制品表面纳米多层复合抗划花膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1炉抽真空己经清洗干净的金制品或镀金制品装入炉内的公自转挂具上，抽本底真空3x10-3Pa-6x10-3Pa；2辉光离子清洗充入Ar气达1-3Pa，开脉冲偏压电源-400至-700V，占空比50-70％，辉光清洗3-10分钟；3打过渡层充Ar气1x10-1Pa-5x10-1Pa，偏压-50至-100V，同时开金的阴极电弧源40-70A和直流磁控溅射金靶2-5A，混镀0.5-1.5分钟，关金的阴极电弧源，而金靶继续溅射达50-500nm，停镀；4镀纳米多层第一单元镀第一层：开启专用陶瓷靶电源，运行磁控溅射孪生Al2O3陶瓷靶5-12A以形成纳米透明介质层，控制膜厚达20-300nm，停镀；镀第二层：开金靶溅射2-5A以形成纳米金层，控制膜厚达50-500nm停镀；5镀纳米多层第二单元镀第一层：开启专用陶瓷靶电源，运行磁控溅射孪生Al2O3陶瓷靶5-12A以形成纳米透明介质层，控制膜厚达20-300nm，停镀；镀第二层：开金溅射靶2-5A以形成纳米金层，控制膜厚达50-500nm，停镀；6镀纳米多层第三单元至N单元各单元分别重复第二单元工艺操作；7镀纳米多层最后单元镀第一层：开专用陶瓷靶电源，运行磁控溅射孪生Al2O3陶瓷靶5-12A以形成纳米透明介质层，控制膜厚20-300nm停镀；镀第二层：开金溅射靶2-5A以形成纳米金层，控制膜厚达50-500nm且该单元中纳米金层的厚度比纳米透明介质层的厚度增加10-20％厚度，停镀；8溅射Si过渡层：开Si靶，靶压：450-550V，靶流：5-15A，控制膜厚5-20nm；9蒸镀AF：把置于电阻发热坩埚内AF药丸，通电加热蒸发，沉积到Si过渡层成AF膜，厚20-30nm；10冷却至100度以下出炉。

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