恭喜台湾积体电路制造股份有限公司李汝谅获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380791B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010651825.5，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权半导体器件及其形成方法是由李汝谅;刘铭棋;刘世昌设计研发完成，并于2020-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请的各种实施例涉及包括沟槽电容器的半导体器件，沟槽电容器包括多个横向突起部。在一些实施例中，沟槽电容器包括位于衬底之上的介电结构。介电结构可包括上覆在衬底上的多个介电层。介电结构可包括多个横向凹陷部。在一些实施例中，所述多个横向突起部朝所述多个横向凹陷部延伸且填充所述多个横向凹陷部。通过形成具有填充所述多个横向凹陷部的所述多个横向突起部的沟槽电容器，在不增加沟槽的深度的情况下增加电容器的表面积。因此，可在不必增加沟槽的深度的情况下，且因此在不必增加半导体器件的大小的情况下获得更大的电容值。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；多个介电层，上覆在所述半导体衬底上且界定沟槽，其中所述沟槽包括多个横向凹陷部；以及沟槽电容器，上覆在所述半导体衬底上且填充所述沟槽，其中所述沟槽电容器包括第一电容器结构以及在横向上邻近所述第一电容器结构的第二电容器结构，其中所述第一电容器结构包括：第一横向突起部，朝所述多个横向凹陷部中的第一横向凹陷部延伸且填充所述第一横向凹陷部；第二横向突起部，朝所述第二电容器结构延伸；以及第三横向突起部，朝所述第二电容器结构延伸，且其中所述第二电容器结构包括：第四横向突起部，朝所述第一电容器结构延伸且在垂直方向上设置在所述第二横向突起部与所述第三横向突起部之间，其中所述第二横向突起部直接接触所述第二电容器结构。
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