恭喜苏州晶方半导体科技股份有限公司王蔚获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜苏州晶方半导体科技股份有限公司申请的专利封装结构、半导体器件和封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111370375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010207973.8，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权封装结构、半导体器件和封装方法是由王蔚;钱孝清;杜鹏;沈戌霖设计研发完成，并于2020-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构、半导体器件和封装方法在说明书摘要公布了：本发明揭示了一种封装结构、半导体器件和封装方法，该封装结构包括：芯片单元，包括衬底以及位于衬底表面的客户层，定义所述客户层背离所述衬底的表面为第一表面，所述衬底背离所述客户层的表面为第二表面，所述客户层内形成有焊垫；焊接凸起，形成于芯片单元的第二表面；金属布线层，电性连接于所述焊垫和焊接凸起之间；绝缘层，形成于所述金属布线层和芯片单元之间，所述绝缘层包括依次形成于所述芯片单元表面的二氧化硅层和Si3N4层。本发明封装结构的绝缘层采用SiO2+Si3N4+环氧树脂三层结构，通过该种结构，不仅可以大大提高湿气的隔绝效果，且本身抗应力强度也大大提高。
本发明授权封装结构、半导体器件和封装方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括：芯片单元，包括衬底以及位于衬底表面的客户层，定义所述客户层背离所述衬底的表面为第一表面，所述衬底背离所述客户层的表面为第二表面，所述客户层内形成有焊垫；焊接凸起，形成于芯片单元的第二表面；金属布线层，电性连接于所述焊垫和焊接凸起之间；绝缘层，形成于所述金属布线层和芯片单元之间，所述绝缘层包括依次形成于所述芯片单元表面的二氧化硅层、Si3N4层和环氧树脂层；还包括贯穿所述衬底的通孔，所述通孔暴露出所述焊垫，所述绝缘层延伸于所述芯片单元第二表面和所述通孔的侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶方半导体科技股份有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区汀兰巷29号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号