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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体测试结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119381388B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411958762.2，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种半导体测试结构及其制作方法是由宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体测试结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体测试结构及其制作方法，属于半导体技术领域，所述测试结构至少包括：衬底，包括多个并列设置的有源区；多个栅极，并列设置在多个有源区上，栅极与有源区之间设置有栅极介质层，栅极和有源区垂直；第一金属硅化物，至少设置在部分栅极及栅极一侧的侧壁上，并延伸至有源区上；在相邻栅极之间的单个有源区上设置至少一个测试孔组，测试孔组和第一金属硅化物交错分布；连接孔，设置在多个栅极一侧的有源区上；至少一个第一测试点，设置在测试孔组上，与测试孔组连接；第二测试点，设置在连接孔上，与连接孔连接。通过本发明提供的一种半导体测试结构及其制作方法，能够及时反馈金属硅化物的制作质量，提高监测效率。

本发明授权一种半导体测试结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，至少包括：衬底，包括多个并列设置的有源区；多个栅极，并列设置在多个所述有源区上，所述栅极与所述有源区之间设置有栅极介质层，所述栅极和所述有源区垂直；第一金属硅化物，至少设置在部分所述栅极及所述栅极一侧的侧壁上，并延伸至所述有源区上；在相邻所述栅极之间的单个所述有源区上设置至少一个测试孔组，所述测试孔组和所述第一金属硅化物交错分布；连接孔，设置在多个所述栅极一侧的所述有源区上；测试金属层，包括第一测试金属层和第二测试金属层，所述第一测试金属层设置在所述测试孔组上，且相邻所述栅极之间的同一所述有源区上的所述第一测试金属层间隔设置，不同所述有源区相邻的测试孔组共用同一所述第一测试金属层，相邻所述测试孔组的一端共用同一所述第一测试金属层；所述第二测试金属层连接所有的所述连接孔；至少一个第一测试点，设置在所述第一测试金属层上，与所述测试孔组连接；第二测试点，设置在所述第二测试金属层上，与所述连接孔连接；所述第一测试点和所述第二测试点之间设置电压差，测试所述第一测试点和所述第二测试点之间的电阻。

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