恭喜国科大杭州高等研究院张凯旋获国家专利权
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龙图腾网恭喜国科大杭州高等研究院申请的专利基于手性螺旋天线集成调控的二维材料太赫兹探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119374717B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411942639.1，技术领域涉及：G01J1/42；该发明授权基于手性螺旋天线集成调控的二维材料太赫兹探测器是由张凯旋;蓝诗琪;张拾;张力波;王林;陈效双设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于手性螺旋天线集成调控的二维材料太赫兹探测器在说明书摘要公布了：本发明的基于手性螺旋天线集成调控的二维材料太赫兹探测器，所述探测器结构自下而上为：包括硅衬底、二氧化硅层、二维材料、源电极、漏电极、氧化铝薄膜和栅电极，在本征硅衬底上是二氧化硅层，在二氧化硅层上制备有二维材料，在二维材料两端接触是源电极和漏电极，氧化铝薄膜覆盖在二维材料、源电极和漏电极上，在氧化铝薄膜上为栅电极，所述栅电极处于源电极和漏电极的中间位置，采用二维材料作为器件的沟道材料，源极、漏极和栅极选用螺旋形状平面金属，构成非对称的螺旋结构。本发明的基于手性螺旋天线集成调控的二维材料太赫兹探测器，实现了光电流方向可控、室温自驱动运行、响应速度快和易于集成。
本发明授权基于手性螺旋天线集成调控的二维材料太赫兹探测器在权利要求书中公布了：1.基于手性螺旋天线集成调控的二维材料太赫兹探测器，其特征在于：所述探测器结构自下而上为：包括硅衬底、二氧化硅层、二维材料、源电极、漏电极、氧化铝薄膜和栅电极，在本征硅衬底上是二氧化硅层，在二氧化硅层上制备有二维材料，在二维材料两端接触是源电极和漏电极，氧化铝薄膜覆盖在二维材料、源电极和漏电极上，在氧化铝薄膜上为栅电极，所述栅电极处于源电极和漏电极的中间位置，采用二维材料作为器件的沟道材料，源极、漏极和栅极选用螺旋形状平面金属，构成非对称的螺旋结构。
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