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龙图腾网恭喜安徽大学申请的专利一种10T1C-SRAM存内计算单元及存算电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119311635B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411864014.8，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权一种10T1C-SRAM存内计算单元及存算电路是由蔺智挺;张豪;吴秀龙;胡薇;卢文娟;赵强;戴成虎;彭春雨;李志刚设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种10T1C-SRAM存内计算单元及存算电路在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种10T1C‑SRAM存内计算单元及存算电路。本发明在经典的6T‑SRAM的基础上增设了4个NMOS晶体管N4~N7和1个电容C，设计出一种新的10T1C‑SRAM存内计算单元，其继承了6T‑SRAM的数据存储及读写功能，又可以利用N4、N5、N6、N7和C构成计算部来实现存内AND计算和存内XNOR计算。本发明还基于新设计的10T1C‑SRAM存内计算单元，构建出存内计算电路，还可以进行存内1b‑ANDMAC计算和存内BNN计算，功能性强、灵活性大。

本发明授权一种10T1C-SRAM存内计算单元及存算电路在权利要求书中公布了：1.一种10T1C-SRAM存内计算单元，其特征在于，包括：6T-SRAM部，其设置有存储节点Q、QB，用于读、写、保持存储权重数据Weight；计算部，其包括：4个NMOS管N4~N7、1个电容C；N4的栅极连接Q，源极连接输入信号IN，漏极连接C的第一端；N5的栅极连接控制信号INN_E，源极连接QB，漏极连接C的第一端；N6的栅极连接IN，源极连接Q，漏极连接C的第一端；N7的栅极连接控制信号INN_EN，源端接地VSS，漏极连接C的第一端；C的第二端连接计算位线CBL；IN表示输入数据Input；10T1C-SRAM存内计算单元提供三种工作模式，包括：数据存储模式、存内AND计算模式、存内XNOR计算模式；在存内AND计算模式下：IN=1表示Input=1，IN=0表示Input=0，Q=1表示Weight=1，Q=0表示Weight=0；若IN=1且Q=1，QB=0、INN_E=0、INN_EN=0，则AND计算结果为1；若IN=1且Q=0，QB=1、INN_E=0、INN_EN=0，则AND计算结果为0；若IN=0且Q=1，QB=0、INN_E=0、INN_EN=1，则AND计算结果为0；若IN=0且Q=0，QB=1、INN_E=0、INN_EN=1，则AND计算结果为0。

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