恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司刘苏涛获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种改善光刻胶与晶圆粘附性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119314883B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411864274.5，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种改善光刻胶与晶圆粘附性的方法是由刘苏涛;林士闵设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善光刻胶与晶圆粘附性的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善光刻胶与晶圆粘附性的方法，包括以下步骤：提供一晶圆，在晶圆表面形成碳点层，碳点层包括多个碳点，所有碳点随机分布在晶圆表面；在晶圆表面形成图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层具有开口，开口暴露出部分碳点层，开口外侧的图形化的光刻胶层覆盖剩余部分的碳点层；以图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀部分厚度晶圆；去除光刻胶层和碳点层。本发明通过在晶圆表面和光刻胶层之间形成碳点随机分布的碳点层，使得光刻胶层与晶圆之间形成了良好的接触面，从而提高了光刻胶层与晶圆之间的粘附性。
本发明授权一种改善光刻胶与晶圆粘附性的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善光刻胶与晶圆粘附性的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一晶圆，在晶圆表面形成碳点层，所述碳点层包括多个碳点，所有所述碳点随机分布在所述晶圆表面，使得光刻胶层和晶圆之间形成了良好的接触面；在所述晶圆表面形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层具有开口，所述开口暴露出部分所述碳点层，所述开口外侧的所述图形化的光刻胶层覆盖剩余部分的所述碳点层；以所述图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀部分厚度的所述晶圆，所述开口处的所述碳点层下沉，使得所述开口依然暴露出所述碳点层；使用硫酸双氧水混合溶液去除所述光刻胶层和碳点层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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