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龙图腾网恭喜中国人民解放军国防科技大学申请的专利磁性元件磁芯损耗预测方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119310502B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411858598.8，技术领域涉及：G01R33/00；该发明授权磁性元件磁芯损耗预测方法、装置、设备及存储介质是由贾祥;龙佳慧;李子豪;杨佳鑫;赵骞设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁性元件磁芯损耗预测方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种磁性元件磁芯损耗预测方法、装置、设备及存储介质，包括获取磁性元件在工作温度范围内工作时对应的真实磁芯损耗值；将磁性元件磁芯的工作温度范围分区，构建表征各温度区间下的磁芯损耗的分段函数；基于分段函数构建磁芯损耗模型；以最小化磁芯损耗预测值与磁芯损耗真实值之间的误差平方和为目标，估计磁芯损耗模型的参数，获得磁芯损耗预测模型；基于磁芯损耗预测模型，实现磁性元件磁芯损耗的预测。通过使用分段函数，将温度转换为定性变量，把其对磁芯损耗的影响划分为不同的区间。基于分段函数构建磁芯损耗模型，该模型能够较好地捕捉不同温度范围下实验数据的局部变化，从而提高拟合精度。

本发明授权磁性元件磁芯损耗预测方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.磁性元件磁芯损耗预测方法，其特征在于，包括：获取磁性元件在工作温度范围内工作时对应的真实磁芯损耗值；将磁性元件磁芯的工作温度范围分区，构建表征各温度区间下的磁芯损耗的分段函数：设温度范围被划分为个区间，每个温度区间对应一个分段函数，分段函数表征第i个温度区间内的状态，i=1,...,n，分段函数如下： 当温度落入第个温度区间时，；否则，；基于分段函数构建磁芯损耗模型，如下： 其中，P为磁芯损耗真实值，是待拟合的各温度区间对应的温度区间系数，i=1,...,n，为第i个温度区间对应的分段函数，为磁场变化的频率，是磁通密度的峰值，和分别为与磁芯材料特性以及工作条件相关的磁芯系数；以最小化磁芯损耗预测值与磁芯损耗真实值之间的误差平方和为目标，估计磁芯损耗模型的参数，获得磁芯损耗预测模型；基于磁芯损耗预测模型，实现磁性元件磁芯损耗的预测。

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