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龙图腾网恭喜南开大学申请的专利一种用于忆阻器阵列的三元复合物及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119306579B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411845810.7，技术领域涉及：C07D209/30；该发明授权一种用于忆阻器阵列的三元复合物及其制备方法是由陈颖;贺苏杭;常新月;贾传成;郭雪峰设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于忆阻器阵列的三元复合物及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电子元件技术领域，尤其涉及一种用于忆阻器阵列的三元复合物及其制备方法。该三元复合物包括A、B和C：A为具有氨基末端的吡啶类衍生物的客体分子，B为桥连分子，C为具有葫芦脲结构的主体分子。A、B和C在水溶液中通过分子之间的范德华力和疏水作用自组装形成三元复合物；主体分子C具有桶状空腔结构，桶状空腔结构将客体分子A和桥连分子B包结于内。三元复合物在石墨烯电极的端部形成超分子链状结，能够适应不同间隙的石墨烯电极，大幅度提升阵列的分子连接成功率。该三元复合物的制备方法简便，易于操作，适用于规模化生产。

本发明授权一种用于忆阻器阵列的三元复合物及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于忆阻器阵列的三元复合物，其特征在于，包括A、B和C，A为具有氨基末端的吡啶类衍生物的客体分子，B为桥连分子，C为具有葫芦脲结构的主体分子，A、B和C在水溶液中通过分子之间的范德华力和疏水作用自组装形成三元复合物；其中，客体分子A的结构式为或；桥连分子B的结构式为、和中的任一种；R1为-CH2-K，K为1～3的正整数；R2为H、Cl、Br、CH3、OCH3、SCH3和NO2中的任意一种；R3为S和NH中的任一种；主体分子C具有桶状空腔结构，所述桶状空腔结构将客体分子A和桥连分子B包结于内；所述三元复合物用于忆阻器阵列时，客体分子A的氨基末端与石墨烯电极的羧基末端通过共价键的方式连接，所述三元复合物在石墨烯电极的端部形成超分子链状结；其中，三元复合物为下列结构式中的任一种： ；； ； 代表主体分子C的结构式；n为A、B和C组装过程中的重复单元，n为大于等于0的整数。

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