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龙图腾网恭喜包头市英思特稀磁新材料股份有限公司申请的专利一种基于电镀铜复合扩散源蒸镀扩散的磁体的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119296952B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411838303.0，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权一种基于电镀铜复合扩散源蒸镀扩散的磁体的制备方法是由周保平;杨星贺;李欣俞;焦佩英设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于电镀铜复合扩散源蒸镀扩散的磁体的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于电镀铜复合扩散源蒸镀扩散的磁体的制备方法，该制备方法用于制备基于电镀铜复合扩散源蒸镀扩散的磁体，包括以下步骤：S1：扩散源准备：扩散源为Dy或Tb，其中Dy和Tb的纯度均为99.5%；S2：制备预扩散磁体基体；S3：电镀铜处理：对预扩散磁体基体表面进行电镀铜处理，其中，电镀阳极为纯铜，纯度为99.9%，电镀液为硫酸铜溶液，浓度为99.9%，铜镀层的厚度为2.5~3μm；S4：蒸镀扩散：将经过电镀铜处理的预扩散磁体基体与扩散源一起放入蒸镀炉中进行蒸镀扩散，蒸镀扩散完成后，将完成蒸镀扩散的磁体基体与扩散源分离。本发明保证了不同批次产品性能的一致性，降低了扩散源的材料成本。

本发明授权一种基于电镀铜复合扩散源蒸镀扩散的磁体的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电镀铜复合扩散源蒸镀扩散的磁体的制备方法，其特征在于：该制备方法用于制备基于电镀铜复合扩散源蒸镀扩散的磁体，所述磁体包括以下质量分数的成分：A：28~34wt.%，A包含A1和A2，A1为Dy或Tb，A1含量为磁体质量分数的0.8~5.0wt.%；A的余量A2为Nd、Pr、Ho、Ga、La、Ce和Er中的一种或多种；B1：0.1~4.0wt.%，B1为Cu、Al、Zn、Mn、W和V中的一种或多种；B2：0.05~3.0wt.%，B2为Zr、Nb和Ti中的一种或多种；C：0.8~2.0wt.%，C为硼元素；磁体的余量为D及其他不可避免杂质，D为Fe；所述磁体存在至少一个表面E，表面E的Cu元素含量高于磁体Cu元素平均含量，磁体从表面E起至磁体内部150μm深度范围内，Cu元素浓度随着深度增加而逐渐降低；所述表面E为磁体的扩散面，该扩散面具有一层采用蒸镀扩散方式制备出的重稀土薄膜，扩散面与磁体取向方向成任意角度；所述基于电镀铜复合扩散源蒸镀扩散的磁体的制备方法包括以下步骤：S1：扩散源准备：扩散源为Dy或Tb，其中Dy和Tb的纯度均为99.5%；S2：制备预扩散磁体基体：磁体成分按照质量分数进行配比后，采用真空熔炼甩出SC片、氢破碎、气流磨、取向成型、等静压、真空烧结、时效处理制备磁体基体，采用机加工将钕铁硼磁材基体切割成所需形状和尺寸的片状基体，经表面处理后将磁体清洗干净并烘干，得到预扩散磁体基体；S3：电镀铜处理：对预扩散磁体基体表面进行电镀铜处理，其中，电镀阳极为纯铜，纯度为99.9%，电镀液为硫酸铜溶液，浓度为99.9%，铜镀层的厚度为2.5~3μm；S4：蒸镀扩散：将经过电镀铜处理的预扩散磁体基体与扩散源一起放入蒸镀炉中进行蒸镀扩散，蒸镀扩散完成后，将完成蒸镀扩散的磁体基体与扩散源分离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人包头市英思特稀磁新材料股份有限公司，其通讯地址为：014000 内蒙古自治区包头市包头稀土高新区阿拉坦汗大街19号(稀土高新区科技产业园区A1-B1)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。