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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构的制造方法、半导体结构及CMOS电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170572B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411648674.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的制造方法、半导体结构及CMOS电路是由王棒;蔡明洋;周成;林国强;刘西域设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制造方法、半导体结构及CMOS电路在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法、半导体结构及CMOS电路，所述半导体结构的制造方法包括：提供半导体基底；其中，半导体基底包括半导体衬底和覆盖半导体衬底的缓冲层和应力层；半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；PMOS区域表面形成有PMOS栅极结构；覆盖PMOS栅极结构侧面的缓冲层与覆盖半导体衬底表面的缓冲层形成有邻接区域；去除半导体基底中覆盖PMOS区域的部分应力层，在缓冲层的邻接区域远离半导体衬底的表面形成应力层残留部；在PMOS区域执行离子注入工艺；其中，执行离子注入工艺的区域包括应力层残留部，以使应力层残留部被刻蚀的刻蚀速率增大；刻蚀去除应力层残留部。通过本申请实施例，提升了CMOS电路整体的电学性能。

本发明授权半导体结构的制造方法、半导体结构及CMOS电路在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体基底；其中，所述半导体基底包括半导体衬底和覆盖所述半导体衬底的缓冲层和应力层；所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；所述PMOS区域表面形成有凸出所述半导体衬底表面的PMOS栅极结构；覆盖所述PMOS栅极结构侧面的缓冲层与覆盖所述半导体衬底表面的缓冲层形成有邻接区域；所述应力层用于向所述半导体衬底引入应力；去除所述半导体基底中覆盖所述PMOS区域的部分应力层，在所述缓冲层的邻接区域远离所述半导体衬底的表面形成应力层残留部；在所述PMOS区域执行离子注入工艺；其中，执行所述离子注入工艺的区域包括所述应力层残留部，以使所述应力层残留部被刻蚀的刻蚀速率增大；刻蚀去除所述应力层残留部。

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