恭喜武汉理工大学姚志敏获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉理工大学申请的专利一种两相射流换热结构及芯片封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153423B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411634343.3，技术领域涉及：H01L23/473；该发明授权一种两相射流换热结构及芯片封装是由姚志敏;刘佳龙;李毅宁;李世隆;张鹏;杨剑鑫;张鹏涛设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种两相射流换热结构及芯片封装在说明书摘要公布了：本发明公开了一种两相射流换热结构及芯片封装，两相射流换热结构包括载体及冷却流体；载体具有换热端，并设换热腔室、液化腔室、蒸发流道及冷却流道，换热腔室位于换热端，液化腔室间隔置于换热腔室的上方，蒸发流道连通换热腔室的上端与液化腔室，冷却流道连通换热腔室与液化腔室；冷却流体循环流动于换热腔室与液化腔室之间，并能够在换热腔室内吸热气化，且在液化腔室内散热液化。本方案相较于传统的空气对流冷却方式，其传热系数通常更高，并且能够实现较为均匀的表面冷却，避免出现局部热点，具有较好的稳定性和可靠性，并能够通过相变过程在单位面积上实现高效的热传递，满足日益高集成化的电子芯片的散热需求。
本发明授权一种两相射流换热结构及芯片封装在权利要求书中公布了：1.一种两相射流换热结构，其特征在于，包括：载体，具有用以接触热源的换热端，并设换热腔室、液化腔室、蒸发流道及冷却流道，所述换热腔室位于所述换热端，所述液化腔室间隔置于所述换热腔室的上方，所述蒸发流道连通所述换热腔室的上端与所述液化腔室，所述冷却流道连通所述换热腔室与所述液化腔室；及冷却流体，循环流动于换热腔室与所述液化腔室之间，并能够在所述换热腔室内吸热气化，且在所述液化腔室内散热液化；其中，所述冷却流道沿靠近所述换热端的方向包括依次连接的进液段、连接段及出液段，所述进液段的上端连通所述液化腔室，所述出液段的下端连通所述换热腔室，且其内径小于所述进液段的内径，所述连接段沿靠近所述出液段的方向呈渐缩设置。
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