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龙图腾网恭喜晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体栅极结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411555633.9，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体栅极结构的制备方法及半导体结构是由胡迎宾;郭廷晃;郭哲劭;王涛涛设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体栅极结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体栅极结构的制备方法及半导体结构。其中，半导体栅极结构的制备方法包括：提供衬底并且在衬底上形成栅极多晶硅，在栅极多晶硅的形成过程中，对栅极多晶硅两侧的阱区进行下沉处理；沿半导体的沟道长度方向，在栅极多晶硅两侧形成侧墙结构，其中侧墙结构包括牺牲层和形成在牺牲层外侧的侧墙层；对栅极多晶硅和牺牲层进行移除处理，以形成第一凹槽，栅极多晶硅在移除过程中，沿半导体的沟道宽度方向，对栅极多晶硅两侧与浅槽隔离区接触部分进行下沉处理，以在浅槽隔离区上形成第二凹槽；以及对第一凹槽和第二凹槽进行栅极填充处理。通过本申请的方案，对半导体器件栅极结构进行改动，以实现器件短沟道效应的有效改善。

本发明授权半导体栅极结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体栅极结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底并且在所述衬底上形成栅极多晶硅，其中在所述栅极多晶硅的形成过程中，对所述栅极多晶硅两侧的阱区进行下沉处理，其中对所述栅极多晶硅两侧的阱区进行下沉处理包括对所述栅极多晶硅两侧的阱区进行过刻处理，使得所述栅极多晶硅两侧的阱区下沉第一高度；沿所述半导体的沟道长度方向，在所述栅极多晶硅两侧形成侧墙结构，其中所述侧墙结构包括形成在所述栅极多晶硅两侧的牺牲层和形成在牺牲层外侧的侧墙层；对所述栅极多晶硅和所述牺牲层进行移除处理，以形成第一凹槽，其中所述衬底的阱区中还形成有浅槽隔离区，所述栅极多晶硅在移除过程中，沿所述半导体的沟道宽度方向，对所述栅极多晶硅两侧与所述浅槽隔离区接触部分进行下沉处理，以在所述浅槽隔离区上形成第二凹槽，其中对所述栅极多晶硅两侧与所述浅槽隔离区接触部分进行下沉处理包括：对所述栅极多晶硅两侧与所述浅槽隔离区接触部分进行过刻处理，使得所述浅槽隔离区下沉第二高度，以形成所述第二凹槽；以及对所述第一凹槽和第二凹槽进行栅极填充处理。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。