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龙图腾网恭喜华引芯(张家港)半导体有限公司;华引芯(武汉)科技有限公司申请的专利一种发光单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411536550.5，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种发光单元及其制备方法是由瞿俊杰设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种发光单元及其制备方法，发光单元的制备方法包括：在一公共衬底上形成多个LED发光结构；对公共衬底进行激光切割处理，以形成多个独立衬底，每个独立衬底上对应设置有一个LED发光结构，独立衬底包括第一平滑部和第一粗糙部，第一粗糙部位于第一平滑部远离LED发光结构的一侧；自独立衬底远离LED发光结构的一侧，对独立衬底进行研磨，以去除第一粗糙部，保留第一平滑部；形成反射膜，反射膜覆盖每个独立衬底远离LED发光结构的一侧的表面和每个独立衬底的侧壁；自独立衬底远离LED发光结构的一侧，对反射膜进行研磨，以去除覆盖在每个独立衬底远离LED发光结构的一侧的表面上的反射膜，本申请能够改善发光单元的横向光串扰问题。

本发明授权一种发光单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光单元的制备方法，其特征在于，所述发光单元的制备方法包括以下步骤：在一公共衬底上形成多个LED发光结构；对所述公共衬底进行激光切割处理，以形成多个独立衬底，每个所述独立衬底上对应设置有一个所述LED发光结构，其中，所述独立衬底包括第一平滑部和第一粗糙部，所述第一粗糙部位于所述第一平滑部远离所述LED发光结构的一侧，且所述第一粗糙部的侧壁的平均粗糙度大于所述第一平滑部的侧壁的平均粗糙度；其中，所述独立衬底的尺寸大于所述LED发光结构的尺寸；将多个所述独立衬底连同其上的LED发光结构重新排列固定至一研磨专用膜材上，所述LED发光结构被埋设于所述研磨专用膜材中，仅露出所述独立衬底，自所述独立衬底远离所述LED发光结构的一侧，对所述独立衬底进行研磨，以去除所述第一粗糙部，保留所述第一平滑部的至少部分；形成反射膜，所述反射膜覆盖每个所述独立衬底远离所述LED发光结构的一侧的表面和每个所述独立衬底的侧壁，其中，设置在所述独立衬底的侧壁上的反射膜包括层叠设置且折射率不同的第一反射层和第二反射层，所述第一反射层的材质为五氧化二钽，所述第二反射层为三氧化二铝，且所述第一反射层的厚度大于所述第二反射层的厚度；自所述独立衬底远离所述LED发光结构的一侧，对所述反射膜进行研磨，以去除覆盖在每个所述独立衬底远离所述LED发光结构的一侧的表面上的反射膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华引芯(张家港)半导体有限公司;华引芯(武汉)科技有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港经济技术开发区福新路1202号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。