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龙图腾网恭喜华引芯(张家港)半导体有限公司;华引芯(武汉)科技有限公司申请的专利改善出光角度的LED发光元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411536572.1，技术领域涉及：H10H20/856；该发明授权改善出光角度的LED发光元件及其制备方法是由刘芳;李立;孙雷蒙设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善出光角度的LED发光元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种改善出光角度的LED发光元件及其制备方法，LED发光元件包括发光二极管芯片、色转换膜和第一反射膜，色转换膜设置在发光二极管芯片的主出光面上；第一反射膜设置在色转换膜的侧壁上；其中，色转换膜包括第一透明保护层和色转换层，第一透明保护层具有一凹槽，凹槽的开口方向朝向发光二极管芯片，色转换层容置于凹槽内。本申请提供的LED发光元件中，设置在色转换膜的侧壁上的第一反射膜的镀膜质量高，能够改善出光角度，增加正面出光的强度，并且，由于色转换层的外侧包覆有第一透明保护层，进而能够在研磨过程中，对色转换层进行保护，从而能够使LED发光元件的色温区间处于正常范围，提高LED发光元件的生产良率。

本发明授权改善出光角度的LED发光元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED发光元件，其特征在于，所述LED发光元件包括：发光二极管芯片；色转换膜，设置在所述发光二极管芯片的主出光面上；设置在所述色转换膜的侧壁上的第一反射膜，包括层叠设置的多个第一氧化物反射层和多个第二氧化物反射层，所述第一氧化物反射层和所述第二氧化物反射层的折射率不同，设置在所述色转换膜的侧壁上的第一反射膜通过以下步骤制备得到：在第一透明保护层背离凹槽的表面和每个侧壁上沉积第一反射膜；通过研磨的方式去除所述第一透明保护层背离所述凹槽的表面上的第一反射膜，以形成设置在所述色转换膜的侧壁上的第一反射膜；其中，所述色转换膜包括第一透明保护层和色转换层，所述第一透明保护层具有一凹槽，所述凹槽的开口方向朝向所述发光二极管芯片，所述色转换层容置于所述凹槽内；其中，所述色转换膜的侧壁即所述第一透明保护层的侧壁，所述第一透明保护层具有一体式结构；其中，所述LED发光元件还包括第二反射膜，所述第二反射膜设置在所述发光二极管芯片的侧壁上，且所述第二反射膜与所述第一反射膜独立设置。

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