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龙图腾网恭喜常州正宇光伏科技有限公司申请的专利一种背面poly减薄的n-TOPCon电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153583B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411492810.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种背面poly减薄的n-TOPCon电池的制备方法是由黄辉巍;杜庆晖;刘斌设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背面poly减薄的n-TOPCon电池的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种背面poly减薄的n‑TOPCon电池的制备方法。其技术要点如下：在背面采用PECVD法制备包含隧穿氧化钝化结构的叠层结构，退火后得到的叠层结构为：第一SiOx第一poly‑Sin+第二SiOx第二poly‑Sin+PSG；采用激光器作用于非接触区域的PSG，使非接触区域的PSG疏松，出现孔隙，形成疏松PSG；采用碱洗，使碱液通过疏松PSG的孔隙将非接触区的第二poly‑Sin+和第二SiOx同时去除。达到减薄n‑TOPCon电池背面的目的，同时保留接触区域的poly‑Si，降低电池的烧穿风险，提高电池效率。

本发明授权一种背面poly减薄的n-TOPCon电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背面poly减薄的n-TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用N型硅片，双面制绒，形成表面陷光的金字塔结构；在正面进行B扩散，形成PN结；在背面采用HF清洗，去除背面及四周的BSG，采用碱抛光，去除B绕扩；在背面采用PECVD法制备包含隧穿氧化钝化结构的叠层结构，退火后得到的叠层结构自下到上依次为：第一SiOx第一poly-Sin+第二SiOx第二poly-Sin+PSG；采用激光器作用于背面非接触区域的PSG，使非接触区域的PSG疏松，出现孔隙，形成疏松PSG；采用链式HF清洗，去除正面和侧面绕镀的PSG，并暴露出绕镀下的多晶硅层；采用碱洗，去除正面及侧面的绕镀下的多晶硅层，同时使碱液通过疏松PSG的孔隙将非接触区的第二poly-Sin+和第二SiOx同时去除；在正面和或背面，采用氧化铝钝化，形成氧化铝层；在正面和或背面做氮化硅钝化，形成SiNx膜；正面和背面分别丝网印刷形成主栅线和副栅线，烧结形成欧姆接触，光注入提高钝化和光衰，LECO激光增强钝化接触性能；其中，在碱洗过程中，碱液的浓度根据以下公式确定： ；其中，d1是绕镀的多晶硅层的厚度，单位是nm；d2是第二poly-Sin+和SiOx层的厚度，单位是nm；k1和k2分别是绕镀的多晶硅层和第二poly-Sin+和SiOx层的清洗速率常数，单位是nmmin；C是碱液浓度，单位是%；所述疏松PSG的孔隙率是5%~15%；其中，微孔的孔隙率占比5~20%；微孔的孔隙率占比通过激光器的光斑重叠率控制；光斑重叠率的计算公式如下： ；其中，O是光斑重叠率，单位是1；β是激光作用常数，单位是1；θ是微孔的孔隙率占比，单位是1。

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