北京工业大学徐国峰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种具有掺杂改性层的固态电解质及其制备方法和固态电池应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118645681B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410912547.2，技术领域涉及：H01M10/0562；该发明授权一种具有掺杂改性层的固态电解质及其制备方法和固态电池应用是由徐国峰;柯俊敏;吴梦茹;包晗;刘富荣设计研发完成，并于2024-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有掺杂改性层的固态电解质及其制备方法和固态电池应用在说明书摘要公布了：一种具有掺杂改性层的固态电解质及其制备方法和固态电池应用，涉及新能源材料领域。包括：基体材料和掺杂改性层；基体材料的通式为Li7‑MPS6‑MXM，X＝Cl、Br、I，1≤M≤1.6；掺杂改性层含有Al、Mg、Fe、Zn、Sn、Ag、Cu、Se、Bi、Si、Mo中至少一种元素；固态电解质111晶面的晶面间距为d111，0.54nmd1110.58nm。采用电化学原位掺杂的掺杂工艺进行反应得到固态电解质。本发明能够抑制硫化物固态电解质材料表面的化学反应，减少其与锂金属负极反应的电子产物，从而提高与锂金属负极界面在电化学循环过程的稳定性。
本发明授权一种具有掺杂改性层的固态电解质及其制备方法和固态电池应用在权利要求书中公布了：1.一种具有掺杂改性层的硫化物固态电解质，其特征在于，包括：基体材料和掺杂改性层；所述基体材料的通式为Li7-MPS6-MXM，X=Cl、Br、I，其中，1≤M≤1.6；所述掺杂改性层含有Mg、Fe、Zn、Sn、Ag、Cu、Se、Bi、Si、Mo中至少一种元素；所述具有掺杂改性层的硫化物固态电解质，（111）晶面的晶面间距为d（111），0.54nmd（111）0.58nm；硫化物固态电解质制备方法，采用电化学原位离子嵌入方法，包括以下步骤：步骤一：称取含有掺杂元素的含氯物质与基体材料进行球磨法充分混合，球磨获得改性电解质前驱体；步骤二：将步骤一所得改性电解质前驱体进行冷压成薄片，然后进行恒流充放电，充放电1次后即得到原位电化学离子嵌入的具有掺杂改性层的硫化物固态电解质；充放电的电流密度为0.05~2mAcm-2，充电和放电的时间均为30min-90min。
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