深圳市美浦森半导体有限公司何昌获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利一种提高IGBT过流能力的驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118573176B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410862314.6，技术领域涉及：H03K19/018；该发明授权一种提高IGBT过流能力的驱动电路是由何昌;朱勇华;张光亚设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高IGBT过流能力的驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种提高IGBT过流能力的驱动电路，包括二极管D1，比较器U1，三极管Q1，稳压二极管ZD1以及稳压二极管ZD2，二极管D1负极与IGBT集电极连接，比较器U1负输入端与二极管D1正极连接，比较器U1负输入端还通过电阻R9与电源正极连接，比较器U1正输入端通过电阻R4与电源正极连接，电阻R4输出端通过电阻R5接地，比较器U1输出端与三极管Q1基极连接，稳压二极管ZD1正极连接于IGBT发射极，负极与三极管Q1集电极连接，稳压二极管ZD2正极分别与稳压二极管ZD1负极以及三极管Q1集电极连接，稳压二极管ZD2负极通过三极管Q1发射极接地，通过上述设置，本发明可通过稳压二极管ZD1和稳压二极管ZD2来实时调整发射极电位，以提升IGBT的关断电流能力和短路耐受能力。
本发明授权一种提高IGBT过流能力的驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种提高IGBT过流能力的驱动电路，其特征在于，包括二极管D1，比较器U1，三极管Q1，稳压二极管ZD1以及稳压二极管ZD2，所述二极管D1负极与IGBT集电极连接，所述比较器U1负输入端与所述二极管D1正极连接，所述比较器U1负输入端还通过电阻R9与电源正极连接，所述比较器U1正输入端通过电阻R4与电源正极连接，所述电阻R4输出端通过电阻R5接地，所述比较器U1输出端与三极管Q1基极连接，所述稳压二极管ZD1正极连接于IGBT发射极、负极与所述三极管Q1集电极连接，所述稳压二极管ZD2正极分别与所述稳压二极管ZD1负极以及所述三极管Q1集电极连接，所述稳压二极管ZD2负极通过所述三极管Q1发射极接地，所述IGBT栅极与输入信号连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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