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中电科芯片技术(集团)有限公司裴红山获国家专利权

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龙图腾网获悉中电科芯片技术(集团)有限公司申请的专利一种半导体封装用管座获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222637898U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202420627356.7,技术领域涉及:H01S5/02315;该实用新型一种半导体封装用管座是由裴红山;朱阳辉;周晓波;刘永永;袁礼华;游紫萱;敬爽;桑涛;王梅双设计研发完成,并于2024-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种半导体封装用管座在说明书摘要公布了:本发明涉及一种半导体封装用管座,包括:装置体和基体;所述基体上设置有沉台;所述装置体的最下表面通过隔着所述沉台的底部相对于所述基体的最下表面离开;所述装置体和基体通过焊料而连接;所述沉台的底部相对于所述基体最上表面的垂直距离大于基体最大厚度的百分之60以上;本发明通过将沉台的底部相对于所述基体最上表面的垂直距离设置为大于基体最大厚度的百分之60以上,以降低装置体和基体之间的传热热阻,以提升半导体封装用管座的散热性能,同时通过沉台的梯度结构避免焊料对装置体侧壁的吸附,导致装置体侧面不平整的问题,提高半导体激光器件的散热性能。

本实用新型一种半导体封装用管座在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装用管座,其特征在于,所述管座包括:装置体1和基体3;所述基体3上设置有沉台2;所述装置体1的最下表面通过隔着所述沉台2的底部相对于所述基体3的最下表面离开;所述装置体1和基体3通过焊料而连接;所述沉台2的底部相对于所述基体3最上表面的垂直距离大于基体3最大厚度的百分之60以上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中电科芯片技术(集团)有限公司,其通讯地址为:401332 重庆市沙坪坝区西永大道23号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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