深圳市广能达半导体科技有限公司李昌超获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市广能达半导体科技有限公司申请的专利一种新型半导体射频电源水冷板获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222638918U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420629824.4，技术领域涉及：H05K7/20；该实用新型一种新型半导体射频电源水冷板是由李昌超;邓顶阳;张振伟设计研发完成，并于2024-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型半导体射频电源水冷板在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种新型半导体射频电源水冷板，新型半导体射频电源水冷板包括基板和水道盖板，基板上设有下凹的水槽，水道盖板形状与水槽形状相同且覆盖水槽，以形成水冷用水道，基板通过摩擦焊与水道盖板拼缝处焊接。采用在基板上加工生成水槽，在水槽顶部摩擦焊焊接覆盖水道盖板，实现水冷板结构一体化，从而使得水冷板内的冷却液可直接与基板和水道盖板接触，导热导热性能较好。且摩擦焊焊接的水冷板能具有更大的流道，进一步降低热阻。尤其在应对复杂流道的及某些有高低差的流道更具有灵活性特别适用于体积较小或特别大的水冷板，或者是对于水道设计较为复杂与精细的水冷板，采用摩擦焊工艺可以较好的实现。
本实用新型一种新型半导体射频电源水冷板在权利要求书中公布了：1.一种新型半导体射频电源水冷板，其特征在于，包括基板和水道盖板，所述基板上设有下凹的水槽，所述水道盖板形状与所述水槽形状相同且覆盖所述水槽，以形成水冷用水道，所述基板通过摩擦焊与所述水道盖板拼缝处焊接；所述基板与所述水道盖板上表面平齐；所述水槽顶端设有置盖槽，所述置盖槽的宽度大于所述水槽的宽度，所述水道盖板嵌入到所述置盖槽内。
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