台湾积体电路制造股份有限公司李绅扬获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222638983U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420488039.1，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型半导体装置是由李绅扬;张翔笔;张惠菁;王绍安;佐野谦一;赵皇麟设计研发完成，并于2024-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：在本公开的一个实施例中，提供了一种半导体装置。该方法包括形成纳米结构通道区，形成环绕纳米结构通道区的栅极开口，在栅极开口中的纳米结构通道区的暴露表面上形成氧化层，在氧化层上沉积扩散阻障层，在该纳米结构通道区上沉积第一介电层，对扩散阻障层和第一介电层进行掺杂工艺以形成掺杂扩散阻障层和掺杂介电层，并在掺杂介电层上沉积导电层。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板；一纳米结构通道区，设置在该基板上；以及一栅极结构，包括：环绕该纳米结构通道区的一氧化层；一掺杂扩散阻障层，位于该氧化层上；一偶极层，设置于该氧化层与该掺杂扩散阻障层之间；以及一掺杂介电层，设置于该掺杂扩散阻障层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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