北京大学王宗巍获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种高密度存储阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118136061B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410265948.3，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权一种高密度存储阵列是由王宗巍;杨宇航;蔡一茂;黄如设计研发完成，并于2024-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高密度存储阵列在说明书摘要公布了：本发明一种高密度存储阵列，属于存储器和CMOS混合集成电路技术领域。该阵列由K个高密度存储单元平行排列构成，每个存储单元包括选N个通晶体管、N*M个二端存储器件、一条源线、一条字线和N*M条位线，N个选通晶体管通过将前一个选通晶体管的漏端连接后一个选通晶体管的源端形成漏源串联结构、栅端均连接到字线，漏源串联结构中的首个选通晶体管的源端与源线相连，M个并联的二端存储器件为一组，共N组对应N个选通晶体管，每组中，M个二端存储器件的一端相互连接、且连接到对应选通晶体管的漏端，另一端分别连至M条位线；所述阵列存储单元间共用N*M条位线。本发明缩小了存储单元的面积，提高了存储阵列集成密度，应用前景广阔。
本发明授权一种高密度存储阵列在权利要求书中公布了：1.一种高密度存储阵列，其特征在于，该阵列由K个高密度存储单元平行排列构成，所述高密度存储单元包括N个选通晶体管、N*M个二端存储器件、一条源线、一条字线和N*M条位线，其中，N个选通晶体管通过将前一个选通晶体管的漏端连接后一个选通晶体管的源端形成漏源串联结构、其栅端均连接到字线，M个并联的二端存储器件为一组，共N组，对应N个选通晶体管，每组中，M个二端存储器件的一端相互连接、且连接到对应选通晶体管的漏端，另一端分别连至M条位线；其中漏源串联结构中只有首个选通晶体管的源端与源线相连；所述高密度存储阵列的K个高密度存储单元间共用N*M条公共位线，即每个高密度存储单元的M*N条位线分别连接到M*N条公共位线，所述高密度存储阵列包括N*K个选通晶体管，N*M*K个二端存储器件，K条源线，K条字线，和N*M条位线。
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