恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司郭茂峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利发光二极管获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222639014U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202420281277.5,技术领域涉及:H10H20/856;该实用新型发光二极管是由郭茂峰;沈侠强;李世焕;张荣艳;金全鑫设计研发完成,并于2024-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管在说明书摘要公布了:本公开提供了一种发光二极管,包括:外延层,包括由下至上依次堆叠的第一半导体层、发光层与第二半导体层,多个凹槽贯穿第二半导体层和发光层并暴露出第一半导体层;ODR反射镜,位于第二半导体层远离发光层的一侧,包括绝缘反射层、透射介质层和金属反射层,绝缘反射层位于第二半导体层远离发光层的一侧表面,多个穿孔贯穿绝缘反射层并暴露出第二半导体层,透射介质层覆盖多个穿孔的侧壁和或多个凹槽的侧壁,金属反射层位于绝缘反射层远离第二半导体层的一侧表面并填充多个穿孔,并覆盖凹槽侧壁的透射介质层和凹槽底部且与位于绝缘反射层远离第二半导体层一侧的金属反射层分隔;衬底位于ODR反射镜远离外延层的一侧或第一半导体层位于衬底上。
本实用新型发光二极管在权利要求书中公布了:1.一种发光二极管,其特征在于,包括:外延层,所述外延层包括由下至上依次堆叠的第一半导体层、发光层与第二半导体层,多个凹槽贯穿所述第二半导体层和所述发光层并暴露出所述第一半导体层;ODR反射镜,位于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧,所述ODR反射镜包括绝缘反射层、透射介质层和金属反射层,所述绝缘反射层位于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧表面,多个穿孔贯穿所述绝缘反射层并暴露出所述第二半导体层,所述透射介质层覆盖所述多个穿孔的侧壁和或所述多个凹槽的侧壁的所述绝缘反射层,所述金属反射层位于所述绝缘反射层远离所述第二半导体层的一侧表面并填充所述多个穿孔,所述金属反射层还覆盖所述凹槽的侧壁的透射介质层和所述凹槽的底部,且位于所述绝缘反射层远离所述第二半导体层的一侧的所述金属反射层与位于所述凹槽的侧壁和底部的所述金属反射层相互分隔;衬底,所述衬底位于所述ODR反射镜远离所述外延层的一侧;或者,所述第一半导体层位于所述衬底上;以及,彼此绝缘的第一电极与第二电极,所述第一电极与所述第一半导体层电连接,所述第二电极与所述第二半导体层电连接。
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