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龙图腾网恭喜南京芯干线科技有限公司申请的专利一种结终端结构及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117790536B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311818171.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种结终端结构及其制备方法、半导体器件是由徐吉;傅玥;孔令涛设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种结终端结构及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种结终端结构及其制备方法、半导体器件，属于半导体技术领域。结终端结构包括：衬底、外延层、第一氧化层和源极金属；外延层设置在衬底一侧，其包括P+区域和JTE区域，P+区域设置在外延层内远离衬底一侧，JTE区域设置在外延层内远离衬底一侧元胞区外围，与P+区域相接触，其靠近元胞区一侧至远离元胞区一侧厚度逐渐增大或减小；第一氧化层设置在外延层远离衬底一侧表面；源极金属设置在外延层远离衬底一侧表面，其底部与P+区域相接触。通过在元胞区外围设计厚度逐渐增大或减小的JTE区域，不仅能够提高器件的击穿电压，改善器件的耐压性能，而且随着JTE区域的厚度逐渐减小，使得器件最终达到理想的击穿位置。

本发明授权一种结终端结构及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种结终端结构，其特征在于，包括：衬底；外延层，设置在所述衬底一侧，其包括：P+区域，设置在所述外延层内远离所述衬底一侧；JTE区域，设置在所述外延层内远离所述衬底一侧元胞区外围，与所述P+区域相接触，其靠近所述元胞区一侧至远离所述元胞区一侧厚度逐渐增大或减小；多个第一沟槽，设置在所述JTE区域远离所述衬底一侧，沿所述JTE区域靠近所述元胞区一侧至远离所述元胞区一侧间隔设置，相邻第一沟槽之间具有第一柱体；第二氧化层，设置在所述第一沟槽的底壁和两侧壁上；第一多晶硅层，设置在所述第二氧化层上并填充所述第一沟槽；第一氧化层，设置在所述外延层远离所述衬底一侧表面；源极金属，设置在所述外延层远离所述衬底一侧表面，其底部与所述P+区域相接触。

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