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龙图腾网恭喜成都莱普科技股份有限公司申请的专利一种具有SiO₂薄膜的碲化镉发电玻璃及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117712192B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311791502.6，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种具有SiO₂薄膜的碲化镉发电玻璃及其制备方法是由陈冬冬;赵磊;王晓峰;何刘;潘岭峰;黄永忠设计研发完成，并于2023-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有SiO₂薄膜的碲化镉发电玻璃及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种具有SiO2薄膜的碲化镉发电玻璃及其制备方法，属于发电玻璃技术领域。该制备方法包括：在碲化镉发电玻璃母材的向光面上涂覆由纳米SiO2颗粒组成的悬浊液，形成SiO2涂层；之后利用热板对碲化镉发电玻璃母材进行烘干；随后采用CO2激光器，对碲化镉发电玻璃母材的SiO2涂层表面进行整片扫描，扫描过程中控制SiO2涂层处的温度为400‑450℃，使SiO2涂层固化形成厚度为90‑150nm的SiO2薄膜。本申请通过采用CO2激光扫描的方式在玻璃表面固化一层SiO2薄膜的方式，不但能够有效避免玻璃背光面的电路在氧化硅固化过程中造成损伤，而且还能有效降低发电玻璃的反射率，提高其光电转换效率。

本发明授权一种具有SiO₂薄膜的碲化镉发电玻璃及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有SiO2薄膜的碲化镉发电玻璃的制备方法，其特征在于，其包括：在碲化镉发电玻璃母材的向光面上涂覆SiO2悬浊液，形成SiO2涂层，所述SiO2悬浊液中SiO2的含量为8-12wt%,溶剂为乙醇；对所述碲化镉发电玻璃母材进行烘干，烘干的温度为50-100℃、时间为8-10min；随后采用CO2激光器，对所述碲化镉发电玻璃母材的所述SiO2涂层表面进行整片扫描，控制所述SiO2涂层处的温度为400-450℃，使所述SiO2涂层固化形成厚度为90-150nm的SiO2薄膜；其中，采用所述CO2激光器进行整片扫描时，以振镜方式进行扫描，CO2激光器的输出功率为60-100w，光斑宽度0.15-0.25mm；线填充间距为0.04-0.06mm；所述SiO2涂层的涂覆方法为：将SiO2悬浊液滴于所述碲化镉发电玻璃母材中心，待所述SiO2悬浊液完全浸润所述碲化镉发电玻璃母材表面后，使所述碲化镉发电玻璃母材在转速120-180rpm下旋转55-65s后，再使所述碲化镉发电玻璃母材在转速450-550rpm下旋转80-100s。

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