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龙图腾网恭喜北京光智元科技有限公司申请的专利硅基光调制器行波电极终端阻抗匹配系统、硅基光调制器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222636416U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323529006.1，技术领域涉及：G02F1/015；该实用新型硅基光调制器行波电极终端阻抗匹配系统、硅基光调制器是由沈亦晨;邢界江设计研发完成，并于2023-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅基光调制器行波电极终端阻抗匹配系统、硅基光调制器在说明书摘要公布了：本申请提供一种硅基光调制器行波电极终端阻抗匹配系统、硅基光调制器，包括从下至上依次设置的衬底，氧化层，掺杂多晶硅层，设置在衬底第一表面上的第一连接电极，氧化层与衬底第一表面接触，及设置在掺杂多晶硅层第一表面上的第二连接电极，掺杂多晶硅层第一表面远离氧化层；掺杂多晶硅层具备与硅基光调制器中第一行波电极及第二行波电极特征阻抗匹配的目标阻值；第一连接电极与第一行波电极连接，第二连接电极与第二行波电极连接，用于传输行波电极上传输的高频信号，高频信号中的交流分量与目标阻值的阻抗匹配，高频信号中的直流分量的传输隔断。本申请提供的终端阻抗匹配系统能在解决硅基光调制器中直流功耗的基础上，实现与行波电极集成。

本实用新型硅基光调制器行波电极终端阻抗匹配系统、硅基光调制器在权利要求书中公布了：1.一种硅基光调制器行波电极终端阻抗匹配系统，其特征在于，包括从下至上依次设置的衬底，氧化层，掺杂多晶硅层，设置在所述衬底的第一表面上的第一连接电极，其中，所述氧化层与所述衬底的第一表面接触，以及设置在所述掺杂多晶硅层的第一表面上的第二连接电极，其中，所述掺杂多晶硅的第一表面远离所述氧化层；其中，所述掺杂多晶硅层具备与硅基光调制器中第一行波电极及第二行波电极特征阻抗匹配的目标阻值；所述第一连接电极与所述第一行波电极连接，所述第二连接电极与所述第二行波电极连接，用于传输所述第一行波电极及第二行波电极上传输的高频信号，所述高频信号中的交流分量与所述目标阻值的阻抗匹配，所述衬底，氧化层以及掺杂多晶硅层构成金属-氧化物-半导体电容器，用以隔断所述高频信号中的直流分量的传输。

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