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恭喜福建天电光电有限公司吴奕备获国家专利权

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龙图腾网恭喜福建天电光电有限公司申请的专利一种发光二极管封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222639012U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202323424704.5,技术领域涉及:H10H20/851;该实用新型一种发光二极管封装结构是由吴奕备;林艺铃;黄明少;朱澄;林紘洋;李昇哲;万喜红设计研发完成,并于2023-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

一种发光二极管封装结构在说明书摘要公布了:本申请公开了发光二极管封装结构,涉及发光二极管封装技术领域。该发光二极管封装结构中,支架设置有安装槽,安装槽的底部设置有导电层;发光二极管芯片设置于安装槽并电连接于导电层;防硫化层设置于安装槽内并覆盖导电层;荧光部,设置于安装槽并覆盖防硫化层和发光二极管芯片,荧光部包括胶体基质和荧光粉;其中,荧光部至少包括第一荧光层,第一荧光层底部形成离心沉淀层,第一荧光层的顶部形成透光层;离心沉淀层的荧光粉浓度高于透光层的荧光粉浓度。本申请能提高发光二极管封装结构的出光效率。

本实用新型一种发光二极管封装结构在权利要求书中公布了:1.一种发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管封装结构包括:支架,设置有安装槽,所述安装槽的底部设置有导电层;发光二极管芯片,设置于所述安装槽并电连接于所述导电层;防硫化层,设置于所述安装槽内并覆盖所述导电层;以及荧光部,设置于所述安装槽并覆盖所述防硫化层和所述发光二极管芯片,所述荧光部包括胶体基质和荧光粉;其中,所述荧光部至少包括第一荧光层,所述第一荧光层底部形成离心沉淀层,所述第一荧光层的顶部形成透光层;所述离心沉淀层的荧光粉浓度高于所述透光层的荧光粉浓度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人福建天电光电有限公司,其通讯地址为:362411 福建省泉州市安溪县湖头镇光电产业园;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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