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龙图腾网恭喜内蒙古科技大学申请的专利一种物理气相沉积材料源用稀土氟氧化物陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117658639B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311672649.3，技术领域涉及：C04B35/553；该发明授权一种物理气相沉积材料源用稀土氟氧化物陶瓷及其制备方法是由王炫力;王晓娜;宋希文设计研发完成，并于2023-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种物理气相沉积材料源用稀土氟氧化物陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于稀土氟氧化物材料领域，具体涉及一种物理气相沉积材料源用稀土氟氧化物陶瓷及其制备方法，包括如下步骤：将稀土氧化物、稀土氟化物原料粉体预处理至纳米级；将原料粉体按照一定配比混合球磨、干燥、过筛形成混合均匀粉体；再压制成陶瓷坯体，于400～800℃焙烧制得稀土氟氧化物陶瓷。本发明采用预先将原料粉体细化至纳米级保证了原料粉体粒度的一致性，从而在后续固相反应过程中，能够实现稀土氟氧化物粉体的细小化和均一化，并实现稀土氟氧化物的低温合成，合成的稀土氟氧化物粉体具有结晶度高、晶粒尺寸小且均匀性好的优势，可直接用于物理气相沉积靶材的压制过程，无需再进行球磨粉碎，有效避免污染物的引入。

本发明授权一种物理气相沉积材料源用稀土氟氧化物陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种物理气相沉积材料源用稀土氟氧化物陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将稀土氧化物粉体、稀土氟化物粉体分别经球磨、砂磨、干燥、过筛制得超细稀土氧化物粉体或超细稀土氟化物粉体，所述超细稀土氧化物粉体或超细稀土氟化物粉体的粒度D50小于1μm；S2：将超细稀土氧化物粉体、超细稀土氟化物粉体按照摩尔比1:1～3进行混合球磨、干燥、过筛制得混合粉体材料；S3：将所述混合粉体材料压制成陶瓷坯体，于400～800℃焙烧制得稀土氟氧化物陶瓷；所述稀土氟氧化物陶瓷的结晶度高，晶粒尺寸为30～70nm；所述稀土氟氧化物包括ScOF、YOF、Y4O3F6、Y5O4F7、Y6O5F8、Y7O6F9、Y17O14F23、LaOF、La4O3F6、CeOF、Ce4O3F6、CeO6F2、PrOF、Pr4O3F6、NdOF、Nd4O3F6、SmOF、Sm4O3F6、SmO0.7F1.6、EuOF、Eu4O3F6、Eu3O2F5、Eu5O4F7、GdOF、Gd4O3F6、Gd5O4F7、TbOF、Tb4O3F6、DyOF、HoOF、ErOF、Er3O2F5、Er4O3F6、Er5O4F7、TmOF、Tm4O3F6、YbOF、Yb4O3F6、Yb5O4F7、Yb6O5F8、LuOF、Lu3O2F5、Lu4O3F6、Lu5O4F7、Lu7O6F9中的至少一种。

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