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龙图腾网恭喜重庆邮电大学申请的专利一种具有高阈值电压稳定性的p-GaN HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117525129B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311650492.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种具有高阈值电压稳定性的p-GaN HEMT器件是由高升;黄义;王书恒;池天宇;严宏宇;吴艳君设计研发完成，并于2023-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高阈值电压稳定性的p-GaN HEMT器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有高阈值电压稳定性的p‑GaNHEMT器件，属于微电子技术领域。该器件在势垒层上设置源漏欧姆接触电极，源漏欧姆电极之间设置钝化层；p‑GaN层通过刻蚀仅保留栅下区域，且栅下区域的p‑GaN层通过钝化层隔离分为三个部分，其中靠近源极和靠近漏极部分的p‑GaN与栅极形成肖特基接触，中间部分的p‑GaN与栅极形成欧姆接触。本发明提供的p‑GaNHEMT器件利用靠近漏极的栅极的屏蔽作用，使得靠近源极的栅极与中间栅极的电势稳定，不会受到外部漏极偏置应力的影响；与此同时，中间部分p‑GaN与栅极形成的欧姆接触为释放高漏压偏置下产生的电荷提供了路径，从而提高了器件阈值电压的稳定性。

本发明授权一种具有高阈值电压稳定性的p-GaN HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种具有高阈值电压稳定性的p-GaNHEMT器件，自下而上包括衬底（101）、缓冲层（102）、沟道层（103）、势垒层（104）、p-GaN层（106）以及钝化层（107），其特征在于，还包括源漏欧姆电极（105）和栅电极；所述栅电极包括靠近源极的栅极（109）、靠近漏极的栅极（110）和中间的栅极（108）；所述源漏欧姆电极（105）位于势垒层（104）上方两侧；所述钝化层（107）分布在源漏欧姆电极（105）之间；所述钝化层（107）下表面与源漏欧姆电极（105）和p-GaN层（106）下表面持平，均与势垒层（104）上表面接触；所述p-GaN层（106）位于栅电极下方，通过钝化层（107）将p-GaN层隔离为三个部分，即靠近源极的p-GaN层、靠近漏极的p-GaN层以及中间的p-GaN层；所述靠近源极的栅极（109）、靠近漏极的栅极（110）与p-GaN层（106）均形成肖特基接触；所述中间的栅极（108）与p-GaN层（106）形成欧姆接触；所述靠近源极的栅极（109）和靠近漏极的栅极（110）与p-GaN层（106）形成的肖特基接触等效为电容与二极管的并联；所述中间的栅极（108）与p-GaN层（106）形成的欧姆接触等效为电阻；栅电极、钝化层（107）和势垒层（104）形成金属-绝缘体-半导体结构；p-GaN层（106）与势垒层（104）之间的接触等效为电容与二极管的并联。

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