恭喜同济大学李宇飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜同济大学申请的专利一种通过脉冲激光沉积调控石榴石薄膜易磁化轴方向的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116356261B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310325158.5，技术领域涉及：C23C14/28；该发明授权一种通过脉冲激光沉积调控石榴石薄膜易磁化轴方向的方法是由李宇飞;时钟设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种通过脉冲激光沉积调控石榴石薄膜易磁化轴方向的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种通过脉冲激光沉积调控石榴石薄膜易磁化轴方向的方法，属于磁性薄膜材料技术领域，包括：在掺钪的钆镓石榴石（Gd3Sc2Ga3O12，GSGG）且晶相为001的单晶衬底上制备铽铁石榴石Tb3Fe5O12,TbIG薄膜的过程中，在不改变其他实验条件的情况下，只通过改变脉冲激光的单脉冲能量强度的大小，即可制备出具有面内、垂直磁各向异性的TbIG薄膜，实现对其磁各向异性的调控，其厚度可以在纳米尺度至亚微米尺度任意沉积。本权利要求中的方法简单易实现，而且大大降低了实验生产成本，提高了灵活性。
本发明授权一种通过脉冲激光沉积调控石榴石薄膜易磁化轴方向的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过脉冲激光沉积调控石榴石薄膜易磁化轴方向的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：将清洗好的衬底置于脉冲激光沉积设备的腔内，并将腔内抽至真空，设置腔内参数，通过脉冲激光打击TbIG靶，脉冲激光的重复频率为1-8Hz；S2：激光打击完毕后，待腔内温度自然降到常温后，取出并得到TbIG薄膜；通过设置脉冲激光的单脉冲能量为200-340mJ、平均功率为40-75mW以及电压为18.5-22kV制备的所述S2中所述石榴石薄膜的易磁化轴位于面内；通过设置脉冲激光的单脉冲能量为350-500mJ、平均功率为75-110mW以及电压为22-25.5kV制备所述S2中所述石榴石薄膜的易磁化轴位于面外；所述S1中，所述腔内参数为：抽真空至真空度为2.0×10-6Pa、腔内衬底温度升至750℃时，通氧气并维持氧气气压为1.0-5.0Pa。
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