恭喜电子科技大学龚天巡获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种多效应耦合增强的光电传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314392B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310177623.5，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种多效应耦合增强的光电传感器及其制备方法是由龚天巡;于梦雅;黄文;张晓升设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多效应耦合增强的光电传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多效应耦合增强的光电传感器及其制备方法，包括二硫化钼层、金纳米颗粒、玻璃基底与多个氧化锌纳米棒，所述氧化锌纳米棒直立于所述玻璃基底上，所述金纳米颗粒附着在所述氧化锌纳米棒的侧壁上，所述二硫化钼层设置在所述多个氧化锌纳米棒上，且通过分子间作用力进行与所述氧化锌纳米棒进行连接。本申请的光电传感器通过将二硫化钼层与氧化锌纳米棒高差基底复合形成一维二维异质结构；利用光刻模板调控，使氧化锌纳米棒实现周期性阵列生长；先后采用磁控溅射和热退火工艺，在氧化锌纳米棒上实现金纳米颗粒均匀分布；纳米棒顶端的单层二硫化钼产生周期性应变效果。本发明具有制备方法简单、结构可控、均一性优、稳定性佳等优点。
本发明授权一种多效应耦合增强的光电传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多效应耦合增强的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器的结构包括二硫化钼层、金纳米颗粒、玻璃基底与多个氧化锌纳米棒，所述氧化锌纳米棒直立于所述玻璃基底上，所述金纳米颗粒附着在所述氧化锌纳米棒的侧壁上，所述二硫化钼层设置在所述多个氧化锌纳米棒上，且通过分子间作用力进行与所述氧化锌纳米棒进行连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：610000 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号